در این مطالعه، خواص ساختاری و الکترونی خوشه های (n=1-10) GanNn با استفاده از فرمول بندی تابعی چگالی(DFT) و به روش PAW در بسته نرم افزاری VASP مورد بررسی قرار می گیرند. نتایج حاصل از محاسبات نشان می دهد که در ساختارهای پایدارتر خوشه های کوچک، اتم های N تمایل بیشتری به تشکیل پیوندهایی بصورت واحدهای سازندهN2 و یون آزید N-3 دارند، در حالی که در خوشه بزرگتر، ساختارهای سه بعدی قفس مانند با پیوندهای Ga-N بیشتر ظاهر می شوند. یک افزایش سریع در انرژی بستگی بر اتم از n=1به n=2 به دلیل گذار ساختار از حالت یک بعدی به دو بعدی و افزایش همپوشی های میان اوربیتال های N و Ga، جهت رسیدن به پایداری بیشتر است. این تغییرات برای ایزومرهای اول خوشه های n>3روندی تقریبا خطی را دنبال می کنند. پربند چگالی بار نشان می دهد که اگر چه پیوند Ga-N دارای خصلت یونی است ولی بطور خیلی جزئی نیز رفتار کووالانسی از خود نشان می دهد. همچنین پایین ترین ترازهای انرژی مربوط به اوربیتال های N-s، ترازهای میانی یک حالت هیبریدی از Ga-s و N-p و ترازهای نزدیک به تراز فرمی مربوط به Ga-p و N-p هستند.