مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

594
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

639
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

مدل سازی و شبیه سازی ترانزیستور تک الکترونی با جزیره مولکولی

صفحات

 صفحه شروع 65 | صفحه پایان 75

چکیده

 در این مقاله, ابتدا برای درک مفهوم تزویج به تبیین چگالی حالات مولکول های تزویج شده به الکترودهای فلزی خواهیم پرداخت و برمبنای این مفهوم, تزویج ضعیف و قوی را برای مولکول های متصل شده به الکترودهای فلزی شرح می دهیم. در ادامه از توصیف مدل خازنی برای کشف ارتباط انرژی افزودن[i] یا آستانه (انرژی لازم برای اضافه کردن الکترونی به مولکول) به الکترون خواهی[ii] و انرژی یونش[iii] مولکول در محیط ترانزیستور تک الکترونی, SET[iv], استفاده خواهیم کرد و نشان می دهیم برای محاسبه جریان ترانزیستور تک الکترونی با جزیره مولکولی باید از رژیم انسداد کولنی کوانتومی بهره بگیریم. رابطه نرخ تونل زنی در رژیم انسداد کولنی کوانتومی را با جایگزین کردن یک تابع لورنسی (به عنوان عبارت احتمال عبور تونلی) در رابطه نرخ تونل زنی در نظریه ارتدکس, استنتاج خواهیم کرد. درنهایت, برمبنای رابطه نرخ تونل زنی بدست آمده برای رژیم انسداد کولنی کوانتومی و به کمک نرم افزارSIMON به محاسبه منحنی جریان (نوسانات کولنی) SETها با جزیره مولکولی خواهیم پرداخت. مولکول های مورد مطالعه, بنزن و کربن 60 هستند.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    میرعلائی، مصطفی، و میر، علی. (1398). مدل سازی و شبیه سازی ترانزیستور تک الکترونی با جزیره مولکولی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)، 16(2 )، 65-75. SID. https://sid.ir/paper/115643/fa

    Vancouver: کپی

    میرعلائی مصطفی، میر علی. مدل سازی و شبیه سازی ترانزیستور تک الکترونی با جزیره مولکولی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)[Internet]. 1398؛16(2 ):65-75. Available from: https://sid.ir/paper/115643/fa

    IEEE: کپی

    مصطفی میرعلائی، و علی میر، “مدل سازی و شبیه سازی ترانزیستور تک الکترونی با جزیره مولکولی،” نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)، vol. 16، no. 2 ، pp. 65–75، 1398، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/115643/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button