Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

757
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

498
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم

صفحات

 صفحه شروع 87 | صفحه پایان 95

کلیدواژه

Q3
sans-serif"> ،Q3
sans-serif"> CuInSe2Q3
sans-serif"> ،Q3
sans-serif"> CuInTe2 رسانندگیQ3

چکیده

 مواد CuInTe2 و CuInSe2 از نوع مثبت (P) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد, قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال RH و تحرک هال Hµ, در دماها و میدانهای مختلف, دریچه ای در P-CuInTe2 مشاهده شده است. با افزایش دما به بیش از170 k  و تغییرRH , فاصله بین سطح دانه ها بیشتر می شود. با افزودن درصدی اندیم به این لایه ها, ضریب هال در گستره های دمایی 77-200 k ثابت می ماند. در این مقاله نشان خواهیم داد که در ماده P-CuInSe2 که به صورت لایه هایی با ترکیب عنصری است, با افزودن اندیم به دمای بیش از 150 k, فاصله میان سطح دانه ها بیشتر می شود. در این مقاله, مقادیر Hµ در لایه های یاد شده مورد مطالعه قرار گرفته است.

استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    APA: کپی

    دشتیانی، مسعود. (1390). مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم. علوم و مهندسی سطح، -(11)، 87-95. SID. https://sid.ir/paper/121006/fa

    Vancouver: کپی

    دشتیانی مسعود. مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم. علوم و مهندسی سطح[Internet]. 1390؛-(11):87-95. Available from: https://sid.ir/paper/121006/fa

    IEEE: کپی

    مسعود دشتیانی، “مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم،” علوم و مهندسی سطح، vol. -، no. 11، pp. 87–95، 1390، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/121006/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا