مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

750
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

582
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی ورقه های سیلیکونی (111) و مقایسه آن با زیر لایه های سیلیکونی (100)

صفحات

 صفحه شروع 85 | صفحه پایان 89

چکیده

 در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر, Si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه Si(100) و Si(111) به بررسی نانوساختاری فیلم های مزبور پرداخته و امکان جایگزینی Si(100) با Si(111) مورد مطالعه قرار گیرد. نتایج به دست آمده در کار حاضر نشان می دهد که Si(111) با درگاه دی الکتریک های نیتریدی مناسب تر است.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    بهاری، علی. (1391). بررسی ورقه های سیلیکونی (111) و مقایسه آن با زیر لایه های سیلیکونی (100). پژوهش فیزیک ایران، 12(1)، 85-89. SID. https://sid.ir/paper/1388/fa

    Vancouver: کپی

    بهاری علی. بررسی ورقه های سیلیکونی (111) و مقایسه آن با زیر لایه های سیلیکونی (100). پژوهش فیزیک ایران[Internet]. 1391؛12(1):85-89. Available from: https://sid.ir/paper/1388/fa

    IEEE: کپی

    علی بهاری، “بررسی ورقه های سیلیکونی (111) و مقایسه آن با زیر لایه های سیلیکونی (100)،” پژوهش فیزیک ایران، vol. 12، no. 1، pp. 85–89، 1391، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/1388/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button