مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,022
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

148
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

محدود کردن فرآیند بازترکیب در سلول های خورشیدی حساس شده به نقطه کوانتومی PbS با استفاده از تعداد چرخه های مختلف پوشش دهی فیلم های ZnS

صفحات

 صفحه شروع 233 | صفحه پایان 240

چکیده

 بازده تبدیل نسبتا کم انرژی (PCE) سلول های خورشیدی حساس شده به نقاط کوانتومی (QDSSCs) به بازترکیب بار در سطوح مشترکمربوط می شود. فرایند بازترکیب بار را می توان با پوشاندن لایه QD با یک نیمه رسانای گاف پهن مانند ZnS, که به عنوان یک لایه مسدود کننده بین QD ها و مواد انتقال حفره (HTM) عمل می کند, متوقف کرد. در مطالعه حاضر, برای بهبود PCE از سلول های خورشیدی حساس به نقطه کوانتومی PbS, لایه مسدود کننده ZnS بر روی PbS (QDs) با استفاده از روش جذب و واکنش متوالی لایه یونی (SILAR) در دمای اتاق و فشار محیط, با موفقیت ساخته شد. اثر ضخامت لایه ZnS بر خواص فتوولتائیک با تغییر تعداد چرخه های پوشش دهی (n) مورد بررسی قرار گرفت. . نتایج تجربی نشان داد که لایه مسدود کننده ZnS عملکرد فتوولتائیکی QDSSC های PbS را با جلوگیری از فرایند بازترکیب بار بهبود می بخشد. سلول خورشیدی حاوی ZnS با 6n= لایه برای پارامترهای چگالی جریان اتصال کوتاه (Jsc), فاکتور پرشدگی (FF) وPCE, به تریب مقادیر بیشینه 2mA. cm-11/11, 60/37٪ و 93/3٪ را نشان داد. ما دلایل این بهبود را کشف کرده و نشان دادیم که این امر بخاطر کاهش بازترکیب الکترون های تزریق شده نوری با حفره های HTM میسر شده است. اثر چرخه های پوشش دهی توسط طیف UV-Vis و تحلیل چگالی جریان-ولتاژ مورد بررسی قرار گرفت

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    مهرابیان، مسعود، و بیگ زاده، سعید. (1398). محدود کردن فرآیند بازترکیب در سلول های خورشیدی حساس شده به نقطه کوانتومی PbS با استفاده از تعداد چرخه های مختلف پوشش دهی فیلم های ZnS. پژوهش فیزیک ایران، 19(1 )، 233-240. SID. https://sid.ir/paper/1463/fa

    Vancouver: کپی

    مهرابیان مسعود، بیگ زاده سعید. محدود کردن فرآیند بازترکیب در سلول های خورشیدی حساس شده به نقطه کوانتومی PbS با استفاده از تعداد چرخه های مختلف پوشش دهی فیلم های ZnS. پژوهش فیزیک ایران[Internet]. 1398؛19(1 ):233-240. Available from: https://sid.ir/paper/1463/fa

    IEEE: کپی

    مسعود مهرابیان، و سعید بیگ زاده، “محدود کردن فرآیند بازترکیب در سلول های خورشیدی حساس شده به نقطه کوانتومی PbS با استفاده از تعداد چرخه های مختلف پوشش دهی فیلم های ZnS،” پژوهش فیزیک ایران، vol. 19، no. 1 ، pp. 233–240، 1398، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/1463/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button