مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

416
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

510
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

مطالعه خواص کشسانی و پیزوالکتریکی مواد دوبعدی شش گوشی ترکیبات دوتایی عناصر گروه III-V بر اساس محاسبات اصول اولیه

صفحات

 صفحه شروع 89 | صفحه پایان 100

چکیده

 در این پژوهش, با استفاده از روش امواج تخت در چارچوب نظریه تابعی چگالی, ضرایب مستقل کشسانی, تنش و کرنش پیزوالکتریک در دو حالت یون منجمد و یون واهلش برای هفت مورد از ترکیبات دو بعدی پایدار XY (X: B, Al, Ga, In; Y: N, P, As, Sb) با ساختار شش گوشی محاسبه شده اند. محاسبات ضرایب از روش های نظریه تابعی چگالی اختلالی(DFPT) و تغییرات معین (FD) با توافق بسیار خوب صورت گرفته است. در نتایج نشان داده شده است که هفت ترکیب GaN, AlN, BSb, BAs, BP, BN و InN ساختاری لانه زنبوری و قطبیده دارند و این دسته از مواد به دلیل تقارن سه گانه فقط دارای دو ضریب مستقل کشسانی و یک ضریب مستقل تنش یا کرنش پیزوالکتریک می باشند. از میان هفت مورد, بیشترین ضرایب کرنش پیزوالکتریک در حالت یون واهلش برای AlN با ضریب d11=3. 05 pm/V و InN با ضریب d11=7. 01 pm/V برآورد شده است. این گروه از مواد دوبعدی قطبیده که به طور همزمان دارای خاصیت نیمرسانایی و پیزوالکتریکی هستند, کاندیدای خوبی برای کاربرد در شاخه جدید نانوتکنولوژی به نام نانوپیزوترونیک می باشند.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    نوروزی، صادق، شاه طهماسبی، ناصر، بهدانی، محمد، و رضایی رکن آبادی، محمود. (1398). مطالعه خواص کشسانی و پیزوالکتریکی مواد دوبعدی شش گوشی ترکیبات دوتایی عناصر گروه III-V بر اساس محاسبات اصول اولیه. پژوهش فیزیک ایران، 19(1 )، 89-100. SID. https://sid.ir/paper/1468/fa

    Vancouver: کپی

    نوروزی صادق، شاه طهماسبی ناصر، بهدانی محمد، رضایی رکن آبادی محمود. مطالعه خواص کشسانی و پیزوالکتریکی مواد دوبعدی شش گوشی ترکیبات دوتایی عناصر گروه III-V بر اساس محاسبات اصول اولیه. پژوهش فیزیک ایران[Internet]. 1398؛19(1 ):89-100. Available from: https://sid.ir/paper/1468/fa

    IEEE: کپی

    صادق نوروزی، ناصر شاه طهماسبی، محمد بهدانی، و محمود رضایی رکن آبادی، “مطالعه خواص کشسانی و پیزوالکتریکی مواد دوبعدی شش گوشی ترکیبات دوتایی عناصر گروه III-V بر اساس محاسبات اصول اولیه،” پژوهش فیزیک ایران، vol. 19، no. 1 ، pp. 89–100، 1398، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/1468/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button