مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

783
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

699
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون در محلول TMAH

صفحات

 صفحه شروع 133 | صفحه پایان 144

چکیده

 این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون (100) در هیدروکسید آمونیم تترامتیل (TMAH) پرداخته است. فرآیند حکاکی در محلول TMAH با غلظت های مختلف 5%, 10%, 15% و 25% و در دماهای مختلف 70oC, 80oC و 90oC انجام شد. نتایج نشان می دهد که نرخ زدایش با افزایش دما, افزایش می یابد ولی این نرخ با افزایش غلظت TMAH در غلظت های بیشتر از 10% کاهش می یابد. بیشترین نرخ زدایش برابر با 62mm/h در غلظت 10% و دمای 90oC است. تصاویر SEM نشان می دهد که در سطح سیلیکون برآمدگی های شبیه به تپه های هرمی شکل کوچک ظاهر می شود که تعداد, شکل و نحوه توزیع آنها در روی سطح سیلیکون کاملا تصادفی است. تعداد ناهمواری با افزایش غلظت TMAH کاهش می یابد و سطح سیلیکون حکاکی شده در TMAH با غلظت های بالا, صاف تر می باشد. درضمن بیشترین مقدار نرخ زدایش در صفحه <100> نسبت به صفحه <111> برای TMAH با غلظت 10% به دست آمده است که مقدار آن 10.6 است. زدایش سیلیکون با TMAH در این غلظت کمترین زیربریدگی را دارد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    عبدالهی، حسن، و حاج قاسم، حسن. (1394). بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون در محلول TMAH. فرآیندهای نوین در مهندسی مواد (مهندسی مواد مجلسی)، 9(3 (پیاپی 34))، 133-144. SID. https://sid.ir/paper/172610/fa

    Vancouver: کپی

    عبدالهی حسن، حاج قاسم حسن. بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون در محلول TMAH. فرآیندهای نوین در مهندسی مواد (مهندسی مواد مجلسی)[Internet]. 1394؛9(3 (پیاپی 34)):133-144. Available from: https://sid.ir/paper/172610/fa

    IEEE: کپی

    حسن عبدالهی، و حسن حاج قاسم، “بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون در محلول TMAH،” فرآیندهای نوین در مهندسی مواد (مهندسی مواد مجلسی)، vol. 9، no. 3 (پیاپی 34)، pp. 133–144، 1394، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/172610/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button