مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,716
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

638
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی با ناحیه بدون ناخالصی در طرف درین برای اصلاح چگالی حامل ها و کاربردهای توان بالا

صفحات

 صفحه شروع 121 | صفحه پایان 127

چکیده

 در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنهادی به ترتیب 57٪ و 50٪ نسبت به ساختار مسفت با گیت تو رفته دوبل در طرف سورس بهبود یافته است. بنا بر این ساختار پیشنهادی عملکرد بهتری در کاربردهای توان بالا خواهد داشت.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    اروجی، علی اصغر، عنبرحیدری، اکرم، و رمضانی، زینب. (1394). ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی با ناحیه بدون ناخالصی در طرف درین برای اصلاح چگالی حامل ها و کاربردهای توان بالا. مدل سازی در مهندسی، 13(43)، 121-127. SID. https://sid.ir/paper/173852/fa

    Vancouver: کپی

    اروجی علی اصغر، عنبرحیدری اکرم، رمضانی زینب. ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی با ناحیه بدون ناخالصی در طرف درین برای اصلاح چگالی حامل ها و کاربردهای توان بالا. مدل سازی در مهندسی[Internet]. 1394؛13(43):121-127. Available from: https://sid.ir/paper/173852/fa

    IEEE: کپی

    علی اصغر اروجی، اکرم عنبرحیدری، و زینب رمضانی، “ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی با ناحیه بدون ناخالصی در طرف درین برای اصلاح چگالی حامل ها و کاربردهای توان بالا،” مدل سازی در مهندسی، vol. 13، no. 43، pp. 121–127، 1394، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/173852/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button