مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

466
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

خواص ترابرد الکتریکی در نیم رسانای کپه ای ZnO و ساختارهای ناهمگون C/ZnO و ZnMgO/ZnO/ZnMgO

صفحات

 صفحه شروع 71 | صفحه پایان 77

چکیده

 در این مقاله, به بررسی نظری خواص ترابری الکتریکی داده های تجربی گزارش شده (مرجع [20]), مربوط به نیم رسانای کپه ای ZnO و ساختارهای ناهمگون با چاه پتانسیل تکی و دوگانه ZnMgO/ZnO/ZnMgOو ZnMgO/ZnOپرداخته شده و مهم ترین پارامترهای پراکندگی کنترل کننده تراکم و تحرک الکترونی به دست آمده اند. بدین منظور از سازوکارهای پراکندگی ذاتی نظیر فنون های اپتیکی-قطبی, فنون های پیزوالکتریک و پتانسیل تغییر شکل آکوستیکی و پراکندگی غیرذاتی نظیر ناخالصی های یونیزه, در رفتگی ها و میدان های کرنشی-القایی استفاده شده است. به منظور از بین بردن اثرات لایه تبهگن در سطح مشترک ZnO/sapphireداده های تجربی مربوط به نیم رسانای کپه ای ZnOبا استفاده از مدل دولایه ای اثر هال تصحیح شده اند. همچنین, تراکم بخشنده ها و پذیرنده ها و انرژی فعالسازی مربوط به آنها با استفاده از معادله خنثایی بار به دست آمده اند. نتایج به دست آمده حاکی از آن است که برای دماهای کوچکتر از 50 کلوین, رسانش جهشی سازوکار رسانندگی غالب می باشد و پراکندگی ناشی از دررفتگی ها کنترل کننده رفتار دمایی تحرک الکترونی در سرتاسر گستره دمایی می باشد. در مورد ساختار های ناهمگون, نتایج به دست آمده نشان می دهد که افزایش تحرک الکترونی در نمونه با چاه پتانسیل دوگانه نسبت به نمونه با چاه پتانسیل تکی به کاهش تراکم در رفتگی ها, تراکم ناخالصی ها در چاه پتانسیل, بار سطح مشترک و میدان های کرنشی-القایی نسبت داده می شود که در نتیجه محصور سازی الکترونی قویتر در کانال رسانشی به دست آمده است. متن کامل این مقاله به زبان انگلیسی می باشد. لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله به بخش انگلیسی مراجعه فرمایید.لطفا برای مشاهده متن کامل این مقاله اینجا را کلیک کنید.

استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    APA: کپی

    امیرعباسی، محمد، و عبدالحسینی سارسری، اسماعیل. (1397). خواص ترابرد الکتریکی در نیم رسانای کپه ای ZnO و ساختارهای ناهمگون C/ZnO و ZnMgO/ZnO/ZnMgO. پژوهش فیزیک ایران، 18(3 )، 71-77. SID. https://sid.ir/paper/1861/fa

    Vancouver: کپی

    امیرعباسی محمد، عبدالحسینی سارسری اسماعیل. خواص ترابرد الکتریکی در نیم رسانای کپه ای ZnO و ساختارهای ناهمگون C/ZnO و ZnMgO/ZnO/ZnMgO. پژوهش فیزیک ایران[Internet]. 1397؛18(3 ):71-77. Available from: https://sid.ir/paper/1861/fa

    IEEE: کپی

    محمد امیرعباسی، و اسماعیل عبدالحسینی سارسری، “خواص ترابرد الکتریکی در نیم رسانای کپه ای ZnO و ساختارهای ناهمگون C/ZnO و ZnMgO/ZnO/ZnMgO،” پژوهش فیزیک ایران، vol. 18، no. 3 ، pp. 71–77، 1397، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/1861/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی





    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button