مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

762
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

775
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای PD SOI MOSFET در مقیاس نانومتر

صفحات

 صفحه شروع 17 | صفحه پایان 23

چکیده

 در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45 نانومتر ارایه می گردد. این مدل بر پایه شبیه سازی های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر, با استفاده از قابلیت شبیه سازی سه بعدی نرم افزار ISE-TCAD نشان داده می شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح, رابطه ای ریاضی برای محاسبه مقاومت بدنه بر حسب متغییرهای پتانسیل بدنه و عرض افزاره, بیان می گردد. در نهایت نتایج شبیه سازی سه بعدی نرم افزاری و رابطه ریاضی به دست آمده با آخرین نتایج بدست آمده مورد مقایسه قرار می گیرد. مقایسه نتایج, بهبود رابطه ریاضی ارایه شده را نشان می دهد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    دقیقی، آرش، و عسکری خشویی، اعظم. (1388). رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای PD SOI MOSFET در مقیاس نانومتر. پژوهش در فناوری برق (الکترونیک و قدرت)، 1(3)، 17-23. SID. https://sid.ir/paper/186470/fa

    Vancouver: کپی

    دقیقی آرش، عسکری خشویی اعظم. رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای PD SOI MOSFET در مقیاس نانومتر. پژوهش در فناوری برق (الکترونیک و قدرت)[Internet]. 1388؛1(3):17-23. Available from: https://sid.ir/paper/186470/fa

    IEEE: کپی

    آرش دقیقی، و اعظم عسکری خشویی، “رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای PD SOI MOSFET در مقیاس نانومتر،” پژوهش در فناوری برق (الکترونیک و قدرت)، vol. 1، no. 3، pp. 17–23، 1388، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/186470/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button