مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,308
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

748
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

فناوری نوین اکسیدگیت با ضخامت نا متقارن برای کاهش جریان نشتی درین القا شده از گیت در افزاره سیلیکان بر روی عایق در ابعاد نانو

صفحات

 صفحه شروع 19 | صفحه پایان 24

کلیدواژه

تونل زنی باند به باند (BTBT)Q3
جریان نشتی درین القا شده از گیت (GIDL)Q3
حافظه هایی با دسترسی تصادفی پویا (DRAM)Q3

چکیده

 جریان درین القا شده از گیت (GIDL) در ترانزیستور اثر میدانی سیلیکان بر روی عایق (SOI MOSFET) یکی از مولفه های اصلی جریان نشتی محسوب می شود. جریان GIDL نقش مهمی را در زمان نگهداری اطلاعات در سلول های DRAM و توان مصرفی در سوئیچ های ترانزیستوری ایفا می کند و به عنوان یکی از عوامل محدود کننده مقیاس پذیری افزاره های SOI MOSFET مطرح می شود. در این مقاله تکنیک جدیدی را برای کاهش جریان GIDL و به دنبال آن جریان حالت خاموش در افزاره SOI MOSFET در ابعاد نانو پیشنهاد می کنیم. با بکارگیری اکسید گیت با ضخامت نامتقارن می توان جریان GIDL را بدون از دست دادن جریان حالت روشن و کنترل گیت بر کانال کاهش داد. کاهش جریان نشتی موجب کاهش توان مصرفی در سوئیچ های ترانزیستوری می گردد. به علاوه نشان داده ایم که طول بهینه ای از کانال وجود دارد که به ازای آن جریان حالت خاموش کمینه می شود بدون آنکه جریان حالت روشن از دست برود.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

    استناددهی

    APA: کپی

    مقدسی، محمدناصر، و آهنگری، زهرا. (1388). فناوری نوین اکسیدگیت با ضخامت نا متقارن برای کاهش جریان نشتی درین القا شده از گیت در افزاره سیلیکان بر روی عایق در ابعاد نانو. مهندسی برق مجلسی، 3(2 (9))، 19-24. SID. https://sid.ir/paper/188257/fa

    Vancouver: کپی

    مقدسی محمدناصر، آهنگری زهرا. فناوری نوین اکسیدگیت با ضخامت نا متقارن برای کاهش جریان نشتی درین القا شده از گیت در افزاره سیلیکان بر روی عایق در ابعاد نانو. مهندسی برق مجلسی[Internet]. 1388؛3(2 (9)):19-24. Available from: https://sid.ir/paper/188257/fa

    IEEE: کپی

    محمدناصر مقدسی، و زهرا آهنگری، “فناوری نوین اکسیدگیت با ضخامت نا متقارن برای کاهش جریان نشتی درین القا شده از گیت در افزاره سیلیکان بر روی عایق در ابعاد نانو،” مهندسی برق مجلسی، vol. 3، no. 2 (9)، pp. 19–24، 1388، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/188257/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button