مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,509
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

880
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

کاهش جریان خاموشی در ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند دوگیتی نانومتری با استفاده از مهندسی آلایش میانه کانال

صفحات

 صفحه شروع 37 | صفحه پایان 42

چکیده

 مقیاس بندی طول کانال, جریان نشتی افزاره بدون پیوند دوگیتی (DGJL-FET) را افزایش می دهد و در نتیجه توان مصرفی افزاره در حالت خاموش افزایش می یابد. در این مقاله, ساختار نوینی برای کاهش جریان نشتی افزاره DGJL-FET پیشنهاد شده که Modified DGJL-FET نامیده می شود. در ساختار Modified DGJL-FET آلایش کانال در زیر گیت با آلایش سورس و درین یکسان, اما بیشتر از میانه کانال است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد با کاهش ضخامت لایه آلاییده زیر گیت, D, جریان نشتی کاهش می یابد. برای افزاره پیشنهادشده با طول کانال  10nmجریان خاموشی دو دهه بزرگی کمتر از افزاره Regular DGJL-FET است. عملکرد افزاره Regular DGJL-FET و Modified DGJL-FET برای طول کانال های مختلف بر حسب نسبت جریان حالت روشنی به جریان حالت خاموشی (ION/IOFF), شیب زیر آستانه (SS) و تاخیر ذاتی گیت مقایسه شده است. برای افزاره Modified DGJL-FET, D و آلایش میانه کانال به عنوان پارامترهای اضافی برای بهبود عملکرد افزاره در رژیم نانومتر در نظر گرفته شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد در افزاره پیشنهادشده با طول کانال 15nm, SS و ION/IOFF نسبت به افزاره Regular DGJL-FET به ترتیب 14% و 106 دهه بزرگی بهبود یافته است.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

    استناددهی

    APA: کپی

    کلانتری، سروناز، و وادی زاده، مهدی. (1397). کاهش جریان خاموشی در ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند دوگیتی نانومتری با استفاده از مهندسی آلایش میانه کانال. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق، 16(1 )، 37-42. SID. https://sid.ir/paper/228082/fa

    Vancouver: کپی

    کلانتری سروناز، وادی زاده مهدی. کاهش جریان خاموشی در ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند دوگیتی نانومتری با استفاده از مهندسی آلایش میانه کانال. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق[Internet]. 1397؛16(1 ):37-42. Available from: https://sid.ir/paper/228082/fa

    IEEE: کپی

    سروناز کلانتری، و مهدی وادی زاده، “کاهش جریان خاموشی در ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند دوگیتی نانومتری با استفاده از مهندسی آلایش میانه کانال،” مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق، vol. 16، no. 1 ، pp. 37–42، 1397، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/228082/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button