مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

824
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

577
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

تحلیل و مدل سازی آماری تغییرات تصادفی CMRR و PSRR در تقویت کننده هدایت انتقالی فناوری CMOS نانومتری

صفحات

 صفحه شروع 167 | صفحه پایان 176

چکیده

 با پیشرفت فناوری مدارهای مجتمع و ورود ترانزیستورها به مقیاس های نانومتری, تغییرات آماری مشخصات الکتریکی افزاره ها به علت ماهیت گسسته بار و ماده و تغییرات تصادفی ناشی از نوسانات پروسه ساخت به طور چشم گیری افزایش پیدا کرده است. این تغییرات به نوبه خود باعث تغییر در مشخصه های خروجی بلوک های مهم آنالوگ و علی الخصوص تقویت کننده ها می شود. در این مقاله به کمک شبیه سازی مونت کارلو یک مدار تقویت کننده هدایت انتقالی و استفاده از 1000 مدل فشرده متفاوت برای ترانزیستورهای MOSFET در فناوری 35 نانومتر, تغییرات آماری پارامترهای مهم مدار از لحاظ نحوه توزیع آماری, بررسی و آنالیز گردیده و مدل وابستگی آماری بین پارامترهای مهم مدار نیز استخراج شده است. تحلیل تغییرات آماری پارامترهای خروجی مدار و وابستگی آنها, دارای نتایج مستقیم در کاهش هزینه و زمان طراحی مدار بوده و حایز اهمیت فراوانی است.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    محبوبی، بهروز، و دیدبان، داریوش. (1397). تحلیل و مدل سازی آماری تغییرات تصادفی CMRR و PSRR در تقویت کننده هدایت انتقالی فناوری CMOS نانومتری. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق، 16(3 )، 167-176. SID. https://sid.ir/paper/228134/fa

    Vancouver: کپی

    محبوبی بهروز، دیدبان داریوش. تحلیل و مدل سازی آماری تغییرات تصادفی CMRR و PSRR در تقویت کننده هدایت انتقالی فناوری CMOS نانومتری. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق[Internet]. 1397؛16(3 ):167-176. Available from: https://sid.ir/paper/228134/fa

    IEEE: کپی

    بهروز محبوبی، و داریوش دیدبان، “تحلیل و مدل سازی آماری تغییرات تصادفی CMRR و PSRR در تقویت کننده هدایت انتقالی فناوری CMOS نانومتری،” مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق، vol. 16، no. 3 ، pp. 167–176، 1397، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/228134/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button