مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

537
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

521
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

کاهش احتمال خطای نوشتن در حافظه های STT-RAM مبتنی بر اثر دمایی و با بهره گیری از روش دوگان سازی منابع ولتاژ

صفحات

 صفحه شروع 317 | صفحه پایان 321

چکیده

 یکی از مهم ترین مشکلات حافظه های STT-RAM امکان بروز خطا در این حافظه ها است. از عوامل اصلی رخداد خطا در این حافظه ها می توان به نوسانات فرایند ساخت, نوسانات دمایی و وابستگی رخداد خطا به توزیع داده ای اشاره کرد و بنابراین احتمال رخداد خطا با توجه به داده موجود در هر سلول با سلول دیگر متفاوت خواهد بود. روش های ارائه شده موجود عموماً بدون در نظر گرفتن رفتار حافظه در شرایط فیزیکی مختلف, اقدام به حل مشکلات حافظه ها کرده اند که در نتیجه با سربار زیادی در توان و مساحت همراه هستند. بنابراین نیاز به ارائه روشی احساس می شود که در سطوح پایین تر, احتمال رخداد خطا را در هنگام عمل نوشتن کاهش دهد, با در نظر گرفتن این امر که سربار توان غیر قابل قبولی ایجاد نکند. به منظور کاهش رخداد خطای نوشتن و همچنین پیش گیری از سربار توان زیاد, پیشنهادی ارائه شده که با توجه به داده, مسیر جداگانه ای برای نوشتن در نظر خواهد گرفت. هر کدام از مسیرها مشخصه ای مطابق با داده خواهند داشت که در نهایت منجر به کاهش حداکثری خطای نوشتن می شود. در این راستا از مشخصه دمایی سلول برای کاهش زمان عملیات نوشتن بهره گرفته خواهد شد. شبیه سازی ها نشان می دهد که اعمال این روش منجر به کاهش 38/11% زمان نوشتن در سلول حافظه شده که این دستاورد بدون سربار مساحت و یا توان نسبت به روش های موجود حاصل شده است.

استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    APA: کپی

    زرندی، حمیدرضا، و جلیلیان، شاهرخ. (1398). کاهش احتمال خطای نوشتن در حافظه های STT-RAM مبتنی بر اثر دمایی و با بهره گیری از روش دوگان سازی منابع ولتاژ. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - ب مهندسی کامپیوتر، 17(4 )، 317-321. SID. https://sid.ir/paper/228457/fa

    Vancouver: کپی

    زرندی حمیدرضا، جلیلیان شاهرخ. کاهش احتمال خطای نوشتن در حافظه های STT-RAM مبتنی بر اثر دمایی و با بهره گیری از روش دوگان سازی منابع ولتاژ. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - ب مهندسی کامپیوتر[Internet]. 1398؛17(4 ):317-321. Available from: https://sid.ir/paper/228457/fa

    IEEE: کپی

    حمیدرضا زرندی، و شاهرخ جلیلیان، “کاهش احتمال خطای نوشتن در حافظه های STT-RAM مبتنی بر اثر دمایی و با بهره گیری از روش دوگان سازی منابع ولتاژ،” مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - ب مهندسی کامپیوتر، vol. 17، no. 4 ، pp. 317–321، 1398، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/228457/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا