مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,498
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

715
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

وابستگی دمایی مشخصه های الکتریکی دیود سد شاتکی Al/p-Si

صفحات

 صفحه شروع 5 | صفحه پایان 12

چکیده

 اتصالات فلز-نیمرسانای شاتکی بعنوان بخش پیچیده قطعات نیمرسانا و صنعت الکترونیک مورد توجه بوده اند. در این مقاله دیودهای شاتکی Al/p-Si به روش لایه نشانی تبخیر حرارتی بر بستر سیلیکان نوع پذیرنده ساخته و بر اساس نظریه گسیل گرما یونی مشخصه یابی شدند. پارامترهای فاکتور ایده آل, ارتفاع سد شاتکی و جریان اشباع معکوس, با انداز ه گیری منحنی جریان-ولتاژ (I-V) دیودهای بازپخت شده در محدوده دمایی ° C 100-350 بدست آمدند. تاثیر بازپخت بر پارامترهای دیود سد شاتکی بررسی و مشخص شد که دمای بهینه بازپخت ° C 250 می باشد. سپس مشخصه جریان-ولتاژ دیودهای ساخته شده در گستره دمایی 300-15 کلوین اندازه گیری و فاکتور ایده آل, ارتفاع سد شاتکی و جریان اشباع معکوس تعیین گردید. مشخص شد با کاهش دمای دیود, ارتفاع سد شاتکی و جریان اشباع معکوس کاهش, اما فاکتور ایده آل افزایش می یابد. در خاتمه ارتفاع سد شاتکی و ثابت ریچاردسون دیود مذکور با در نظر گرفتن توزیع گاوسی ارتفاع سد محاسبه شدند. مقدار بزرگ و غیر منتظره فاکتور ایده آل را می توان با پراکندگی حامل ها از اتمهای Al نفوذ یافته به نیمرسانا در نزدیکی میانگاه Al/Si توجیه کرد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    صادق زاده، محمدعلی، و توکلی، عاطفه. (1398). وابستگی دمایی مشخصه های الکتریکی دیود سد شاتکی Al/p-Si. صنایع الکترونیک، 10(2 )، 5-12. SID. https://sid.ir/paper/229584/fa

    Vancouver: کپی

    صادق زاده محمدعلی، توکلی عاطفه. وابستگی دمایی مشخصه های الکتریکی دیود سد شاتکی Al/p-Si. صنایع الکترونیک[Internet]. 1398؛10(2 ):5-12. Available from: https://sid.ir/paper/229584/fa

    IEEE: کپی

    محمدعلی صادق زاده، و عاطفه توکلی، “وابستگی دمایی مشخصه های الکتریکی دیود سد شاتکی Al/p-Si،” صنایع الکترونیک، vol. 10، no. 2 ، pp. 5–12، 1398، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/229584/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button