مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,401
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

888
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بهبود بازده سلول خورشیدی سیلیکونی ناهمگون با استفاده از لایه ذاتی GaP

صفحات

 صفحه شروع 103 | صفحه پایان 112

چکیده

 در این مقاله عملکرد سلول های خورشیدی سیلیکونی ناهمگون به صورت نظری بررسی شده است. ساختار مورد بررسی به صورت TCO/ a-SiC (P) / GaP (i) / a-Si (n) /a-Si (n+) /metal می باشد. در این کار به جای ساختار مرسوم که از یک لایه سیلیکون آمورف ذاتی برای افزایش بازده استفاده می شود, از یک لایه GaP (گالیوم فسفات) به عنوان لایه ذاتی استفاده شده است. مدل های مختلفی از این ساختار سلول خورشیدی شبیه سازی شد. تاثیر پارامترهای مختلف در ساختار سلول خورشیدی نظیر تابع کار اتصالات جلو و پشت, چگالی حامل لایه های امیتر و لایه سیلیکون آمورف نوع n, گاف انرژی لایه امیتر, ضخامت لایه بافر Gap, منحنی چگالی جریان – ولتاژ و بازده کوانتومی بررسی شد. بهینه مقدار کمیتهای برای بالاترین بازده سلول خورشیدی بر اساس نتایج مطالعات حاضر معرفی شده است. همچنین ساختار نوار انرژی در حالتهای مختلف رسم و مقایسه گردید. نتایج نشان می دهد که استفاده از یک لایه ذاتی گالیوم فسفات با گاف انرژی 2.26 eV و ضخامت 1 میکرومتر منجر به بیشترین بازدهی در حدود 21.13% با Voc=1.52 V, Jsc=16.58 mA.cm-2 و FF=84% می شود.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    معماریان، نفیسه، عمرانی، میرکاظم، و مین باشی، مهران. (1396). بهبود بازده سلول خورشیدی سیلیکونی ناهمگون با استفاده از لایه ذاتی GaP. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)، 7(15 )، 103-112. SID. https://sid.ir/paper/243779/fa

    Vancouver: کپی

    معماریان نفیسه، عمرانی میرکاظم، مین باشی مهران. بهبود بازده سلول خورشیدی سیلیکونی ناهمگون با استفاده از لایه ذاتی GaP. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)[Internet]. 1396؛7(15 ):103-112. Available from: https://sid.ir/paper/243779/fa

    IEEE: کپی

    نفیسه معماریان، میرکاظم عمرانی، و مهران مین باشی، “بهبود بازده سلول خورشیدی سیلیکونی ناهمگون با استفاده از لایه ذاتی GaP،” پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)، vol. 7، no. 15 ، pp. 103–112، 1396، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/243779/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button