مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

266
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

588
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

اثرات هندسی بر روی خواص ترموالکتریکی در اتصالات گرافینی تک لایه ای/دو لایه ای

صفحات

 صفحه شروع 35 | صفحه پایان 46

چکیده

 در این مقاله با استفاه از تقریب بستگی قوی و ماتریس ضرایب جنبشی, خواص الکتریکی و ترموالکتریکی چهار پیکربندی مختلف از نانونوار گرافینی اتصالات تک لایه ای/دولایه ای با لبه های آرمچیری و زیگزاگی مطالعه می شود. این خواص ترابرد الکتریکی شامل ضرایب رسانش الکتریکی (G), رسانندگی گرمایی (κ e), توان ترموالکتریکی (S) و شاخص شایستگی (ZTe) می باشند که برای طراحی ادوات ترموالکترونیکی مناسب هستند. نتایج محاسبات عددی نشان می دهد که تحت شرایط هندسی مختلف سیستم می تواند رفتار فلزی و نیم-رسانایی با گاف قابل تنظیم از خود نشان دهد. این باعث می شود که توان ترموالکتریکی و کارایی ترموالکتریکی مختلف و نسبتاً بزرگی تحت شرایط خاص اتصالات از خود نشان دهند. همچنین نقش نوع حامل ها (الکترون یا حفره) نیز در ایجاد خصوصیات الکتریکی و ترموالکتریکی به وضوح نشان داده می شود. نتایج این مقاله ممکن است در طراحی ادوات نانوالکترونیکی مبتنی بر لایه های دو بعدی مفید باشد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    سلامی، نادیا، و شکری، علی اصغر. (1399). اثرات هندسی بر روی خواص ترموالکتریکی در اتصالات گرافینی تک لایه ای/دو لایه ای. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)، 10(3 )، 35-46. SID. https://sid.ir/paper/388701/fa

    Vancouver: کپی

    سلامی نادیا، شکری علی اصغر. اثرات هندسی بر روی خواص ترموالکتریکی در اتصالات گرافینی تک لایه ای/دو لایه ای. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)[Internet]. 1399؛10(3 ):35-46. Available from: https://sid.ir/paper/388701/fa

    IEEE: کپی

    نادیا سلامی، و علی اصغر شکری، “اثرات هندسی بر روی خواص ترموالکتریکی در اتصالات گرافینی تک لایه ای/دو لایه ای،” پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)، vol. 10، no. 3 ، pp. 35–46، 1399، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/388701/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button