مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

381
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

594
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

ارزیابی مشخصه فلیپ فلاپ استاتیک مبتنی بر ترانزیستور نانو-نوار گرافنی سد شاتکی تحت تغییرات فرایند ساخت

صفحات

 صفحه شروع 145 | صفحه پایان 151

کلیدواژه

ترانزیستور نانو-نوار گرافنی (GNRFET)Q1

چکیده

 ترانزیستورهای نانو-نوار گرافینی (GNRFETs) به عنوان یک گزینه امیدوارکننده برای جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی متداول در تکنولوژی نسل آینده مطرح می باشند. کانال GNRFET در مقیاس چند نانومتر است و از این رو بررسی تاثیر تغییرات فرایند ساخت بر روی عملکرد مدارها بسیار حایز اهمیت خواهد بود. در این مقاله, تاثیر تغییرات فرایند ساخت نظیر ضخامت اکسید, طول کانال و تعداد خطوط دایمر بر روی تاخیر, توان و حاصل ضرب انرژی-تاخیر (EDP) فلیپ فلاپ مبتنی بر SB-GNRFET ارزیابی شده و مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. علاوه بر آن شبیه سازی مونت کارلو نیز برای تحلیل آماری این تغییرات انجام شده است. با تغییر ضخامت اکسید از مقدار نامی به 1/15nm, تاخیر انتشار و EDP به ترتیب به میزان 31/57 و 60/62 درصد افزایش می یابد. همچنین تغییر طول کانال کمترین میزان تاثیر را بر روی مشخصه فلیپ فلاپ دارد. با افزایش یک واحد تعداد خطوط دایمر از مقدار نامی, تاخیر انتشار و EDP به ترتیب به میزان 315/48 و 204/79 درصد افزایش می یابد. همچنین نتایج حاصل از شبیه سازی مونت کارلو نشان می دهد که مشخصه فلیپ فلاپ نسبت به تغییر ضخامت اکسید یک توزیع هیستوگرام با میزان گستردگی 2/46, 1/57 و 2/39 برابر نسبت به تغییر خطوط دایمر دارد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    عباسیان، عرفان، و قلی پور، مرتضی. (1399). ارزیابی مشخصه فلیپ فلاپ استاتیک مبتنی بر ترانزیستور نانو-نوار گرافنی سد شاتکی تحت تغییرات فرایند ساخت. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - ب مهندسی کامپیوتر، 18(2 )، 145-151. SID. https://sid.ir/paper/397069/fa

    Vancouver: کپی

    عباسیان عرفان، قلی پور مرتضی. ارزیابی مشخصه فلیپ فلاپ استاتیک مبتنی بر ترانزیستور نانو-نوار گرافنی سد شاتکی تحت تغییرات فرایند ساخت. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - ب مهندسی کامپیوتر[Internet]. 1399؛18(2 ):145-151. Available from: https://sid.ir/paper/397069/fa

    IEEE: کپی

    عرفان عباسیان، و مرتضی قلی پور، “ارزیابی مشخصه فلیپ فلاپ استاتیک مبتنی بر ترانزیستور نانو-نوار گرافنی سد شاتکی تحت تغییرات فرایند ساخت،” مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - ب مهندسی کامپیوتر، vol. 18، no. 2 ، pp. 145–151، 1399، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/397069/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button