مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

185
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

444
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

مدل سازی افزاره بدون پیوندی سیلیکون روی عایق نانومقیاس پیشنهادی جهت بهبود مشخصات حالت ماندگار و فرکانسی

صفحات

 صفحه شروع 109 | صفحه پایان 118

چکیده

 در این مقاله برای بهبود عملکرد افزاره اثر میدانی بدون پیوند مبتنی بر سیلیسیم روی عایق نانومقیاس, تغییراتی هدفمند در ساختار افزاره انجام شده است. ساختار پیشنهادی با دو هدف مهم, یکی کاهش اثر خودگرمایی و دیگری کاهش جریان خاموش طراحی شده است. برای کاهش اثر خودگرمایی, ضخامت اکسید مدفون زیر کانال به نصف تقلیل یافته و همچنین بخشی از آن که زیر کانال و نزدیک به ناحیه منبع است با یک لایه بافر با آلایشی برابر با بستر جایگزین شده است. افزایش رسانش حرارتی مؤثر و همچنین تشکیل ناحیه تخلیه اضافی در مرز کانال پایینی با لایه بافر تعبیه شده, منجر به بهبود مشخصات حالت ماندگار و همچنین فرکانسی افزاره پیشنهادی شده است. در روش پیشنهادی که بر اصلاح شکل نوار انرژی استوار است, پارامترهای مهمی همچون جریان خاموش, نسبت جریان روشنایی به خاموش, شیب زیرآستانه, دمای شبکه بحرانی, بهره ولتاژ, رسانایی انتقالی, خازن های پارازیتی, بهره های توان, فرکانس قطع و فرکانس بیشینه نوسانی و بهره نویز مینیمم در مقایسه با ساختار متداول بهبود قابل ملاحظه ای یافته است. همچنین ملاحظات طراحی لایه بافر و نقش پارامترهای آن بر روی عملکرد الکتریکی افزاره پیشنهادی مورد بررسی قرار گرفته است. ساختارهای مورد مطالعه در این مقاله توسط نرم افزار SILVACO که از مدل های فیزیکی مقاوم و دقیقی برای آنالیز افزاره های نیمه هادی برخوردار است, شبیه سازی شده و نتایج ارائه شده در مقاله حاضر همگی برتری عملکرد ساختار پیشنهادی را نشان می دهند.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    انوری فرد، محمدکاظم. (1400). مدل سازی افزاره بدون پیوندی سیلیکون روی عایق نانومقیاس پیشنهادی جهت بهبود مشخصات حالت ماندگار و فرکانسی. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق، 19(2 )، 109-118. SID. https://sid.ir/paper/405671/fa

    Vancouver: کپی

    انوری فرد محمدکاظم. مدل سازی افزاره بدون پیوندی سیلیکون روی عایق نانومقیاس پیشنهادی جهت بهبود مشخصات حالت ماندگار و فرکانسی. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق[Internet]. 1400؛19(2 ):109-118. Available from: https://sid.ir/paper/405671/fa

    IEEE: کپی

    محمدکاظم انوری فرد، “مدل سازی افزاره بدون پیوندی سیلیکون روی عایق نانومقیاس پیشنهادی جهت بهبود مشخصات حالت ماندگار و فرکانسی،” مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق، vol. 19، no. 2 ، pp. 109–118، 1400، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/405671/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button