مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

745
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

اثر جهت یابی قرص سیلیکا بر روی اجرای Metal Source/Drain MOSFET در رژیم نانومقیاس: مطالعه عددی

صفحات

 صفحه شروع 0 | صفحه پایان 0

کلیدواژه

ثبت نشده است

چکیده

 مطالعه جامع سد شاتکی (SBMOSFET) MOSFET ناشی از مقیاس گذاری به منظور تعیین نقش جهت گیری ویفر و پارامترهای ساختاری در عملکرد این دستگاه در فرمالیسم تابع سبز بدون تعادل انجام می شود. حد کوانتومی ارتفاع سد شاتکی موثر (SBH) را افزایش می دهد. جهت گیری (100) ارتفاع سد شاتکی موثر کمتر در مقایسه با ویفرهای (110) و (111) را نشان می دهد. در طول کانال مقیاس بدنه فوق العاده نازک SBMOSFET کاهش به رژیم در مقیاس نانو، به خصوص برای SBHs موثر زیاد، حد کوانتومی در امتداد کانال و انتشار از طریق حالات رزونانس گسسته را ایجاد کرده است. ما امکان تونل زنی رزونانس در SBMOSFET را مورد مطالعه قرار دادیم. جهت تونل زدن تشدیدی (110) و (111) در ولتاژهای ورودی بالاتر ظاهر می شوند.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    آهنگری، زهرا، و فاتحی پور، ام.. (1391). اثر جهت یابی قرص سیلیکا بر روی اجرای Metal Source/Drain MOSFET در رژیم نانومقیاس: مطالعه عددی. نانوساختارها، 2(4)، 0-0. SID. https://sid.ir/paper/498874/fa

    Vancouver: کپی

    آهنگری زهرا، فاتحی پور ام.. اثر جهت یابی قرص سیلیکا بر روی اجرای Metal Source/Drain MOSFET در رژیم نانومقیاس: مطالعه عددی. نانوساختارها[Internet]. 1391؛2(4):0-0. Available from: https://sid.ir/paper/498874/fa

    IEEE: کپی

    زهرا آهنگری، و ام. فاتحی پور، “اثر جهت یابی قرص سیلیکا بر روی اجرای Metal Source/Drain MOSFET در رژیم نانومقیاس: مطالعه عددی،” نانوساختارها، vol. 2، no. 4، pp. 0–0، 1391، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/498874/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
    فایل موجود نیست.
    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button