مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

956
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

567
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

رسانندگی گرمایی در GaN، تاثیر ناخالصی ها و دررفتگی ها

صفحات

 صفحه شروع 13 | صفحه پایان 18

چکیده

 در این مقاله به تحلیل دقیق رسانندگی گرمایی k نیمرسانایGan  با ساختار وورتسایت در گستره پهن دمایی 5 تا 300 کلوین می پردازیم. تحلیل ما نشان می دهد که بر مبنای مدل گرمای ویژه دبای این ماده از دمای مشخصه 616 کلوین برخوردار است. این کمیت بر احتمال وقوع فرآیندهای پراکندگی واگرد (µ) فونون-فونون که ساز و کار غالب در دماهای بالاتر از 150 کلوین در این ماده است تاثیر دارد. در دماهای پایینتر به ترتیب پراکندگیهای ناشی از ناخالصی ها و دررفتگی های بلوری فرآیندهای غالب پراکندگی فونونها هستند. اگرچه قله رسانندگی (kmax) در یک نمونه گزارش شده توسط جزوسکی و همکاران که از بالاترین مقدار (در حدود W.cm-1. k-1 17) در نمونه های گزارش شده تا کنون برخوردار است پیش بینی می شود با یک مرتبه بزرگی کاهش در تراکم دررفتگی ها و ناخالصی ها باهم, این مقدار 10 برابر افزایش یابد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    عشقی، حسین. (1385). رسانندگی گرمایی در GaN, تاثیر ناخالصی ها و دررفتگی ها. مجله پژوهشی علوم پایه دانشگاه اصفهان، 26(4 (ویژه نامه فیزیک، ریاضی و آمار))، 13-18. SID. https://sid.ir/paper/55996/fa

    Vancouver: کپی

    عشقی حسین. رسانندگی گرمایی در GaN, تاثیر ناخالصی ها و دررفتگی ها. مجله پژوهشی علوم پایه دانشگاه اصفهان[Internet]. 1385؛26(4 (ویژه نامه فیزیک، ریاضی و آمار)):13-18. Available from: https://sid.ir/paper/55996/fa

    IEEE: کپی

    حسین عشقی، “رسانندگی گرمایی در GaN, تاثیر ناخالصی ها و دررفتگی ها،” مجله پژوهشی علوم پایه دانشگاه اصفهان، vol. 26، no. 4 (ویژه نامه فیزیک، ریاضی و آمار)، pp. 13–18، 1385، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/55996/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button