مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

204
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

471
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

طراحی مدار بیشینه یاب حوزه زمان CMOS تمام مقیاس، مناسب برای ولتاژهای تغذیه بسیار پایین

صفحات

 صفحه شروع 5 | صفحه پایان 14

چکیده

 در این مقاله یک مدار بیشینه یاب CMOS تمام مقیاس مبتنی بر مقایسه در حوزه زمان ارایه شده است که می تواند تا ولتاژهای تغذیه پایین کارآیی مناسبی از خود نشان دهد. برای به کارگیری حوزه زمان در مقایسه بین چند سیگنال آنالوگ ورودی در مدار بیشینه یاب پیشنهادی, از زنجیره ای از المان های تاخیر خطی با ورودی تمام مقیاس استفاده شده است استفاده از المان تاخیر خطی تمام مقیاس, علاوه بر افزایش محدوده ورودی مدار, دقت مقایسه بین ورودی ها را نیز افزایش داده است. علاوه بر این, ساختار آشکارساز فاز مورد استفاده در مدار پیشنهادی نیز به گونه ای اصلاح شده است که در مقایسه با ساختارهای قبلی از تعداد کمتری ترانزیستور استفاده می کند که این کار علاوه بر کاهش سطح سیلیکان مدار, باعث کاهش خازنهای پارازیتیک می گردد که در نتیجه آن کاهش توان مصرفی مدار و افزایش سرعت آن را به دنبال دارد. این مدار در تکنولوژی 180 نانومتر CMOS طراحی و شبیه سازی شده است که نتایج شبیه سازی نشان می دهد در ولتاژ تغذیه یک ولت و سرعت کلاک 10 مگاهرتز توان مصرفی برای حالت 3 ورودی برابر با 72 میکرو وات می باشد که معیار شایستگی 2. 4 میکرو وات بر مگاهرتز و صحت 99. 98 درصد را نشان می دهد که بهبود قابل ملاحظه ای را نسبت به نمونه های مشابه نشان می دهد. همچنین نتایج شبیه سازی نشان می دهد که مدار پیشنهادی قابلیت عملکرد مناسب تا ولتاژ تغذیه 0. 38 ولت را دارد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    زارع، مریم، غفاری، محمدرضا، رحیمی نژاد، احسان، و صابری، مهدی. (1399). طراحی مدار بیشینه یاب حوزه زمان CMOS تمام مقیاس, مناسب برای ولتاژهای تغذیه بسیار پایین. صنایع الکترونیک، 11(3 )، 5-14. SID. https://sid.ir/paper/953127/fa

    Vancouver: کپی

    زارع مریم، غفاری محمدرضا، رحیمی نژاد احسان، صابری مهدی. طراحی مدار بیشینه یاب حوزه زمان CMOS تمام مقیاس, مناسب برای ولتاژهای تغذیه بسیار پایین. صنایع الکترونیک[Internet]. 1399؛11(3 ):5-14. Available from: https://sid.ir/paper/953127/fa

    IEEE: کپی

    مریم زارع، محمدرضا غفاری، احسان رحیمی نژاد، و مهدی صابری، “طراحی مدار بیشینه یاب حوزه زمان CMOS تمام مقیاس, مناسب برای ولتاژهای تغذیه بسیار پایین،” صنایع الکترونیک، vol. 11، no. 3 ، pp. 5–14، 1399، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/953127/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button