APA:
کپینوروزی، علی، و آمون، مهدی. (1400). سلول حافظه SRAM دوازده ترانزیستوری, مبتنی بر CNTFET با طول کانال 22 نانومتر بر پایه اشمیت تریگر. صنایع الکترونیک، 12(1 )، 53-61. SID. https://sid.ir/paper/961027/fa
Vancouver:
کپینوروزی علی، آمون مهدی. سلول حافظه SRAM دوازده ترانزیستوری, مبتنی بر CNTFET با طول کانال 22 نانومتر بر پایه اشمیت تریگر. صنایع الکترونیک[Internet]. 1400؛12(1 ):53-61. Available from: https://sid.ir/paper/961027/fa
IEEE:
کپیعلی نوروزی، و مهدی آمون، “سلول حافظه SRAM دوازده ترانزیستوری, مبتنی بر CNTFET با طول کانال 22 نانومتر بر پایه اشمیت تریگر،” صنایع الکترونیک، vol. 12، no. 1 ، pp. 53–61، 1400، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/961027/fa