مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

680
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

758
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

پیش یابی و بررسی خواص الکتریکی نانو ساختار دوبعدی سیلیسیم ژرمانیم فسفید (4SiGeP) با استفاده از روش ابتدا به ساکن

صفحات

 صفحه شروع 62 | صفحه پایان 69

چکیده

 این مقاله نانوساختار دوبعدی سیلیسیم ژرمانیم فسفید (4SiGeP) را در فاز پنج گوشی با استفاده از محاسبه های ابتدا به ساکن مبتنی بر نظریه ی تابعی چگالی و با بهره گیری از نرم افزارهای وین و کوانتوم اسپرسو و متریالز استودیو پیش یابی نموده و خواص الکتریکی آن را مورد بررسی قرار می دهد. پایداری ترمودینامیکی, دینامیکی و گرمایی این نانو ساختار به ترتیب با محاسبه ی انرژی همبستگی ساختار, نمودار پاشندگی فونونی و شبیه سازی دینامیک مولکولی ارزیابی و تأیید شده است. نتیجه های محاسبه ها نشان می دهد که تک لایه ی سیلیسیم ژرمانیم فسفید یک نیم رسانای غیر مستقیم با گاف انرژی حدود eV 95/1 است که با اعمال کشش و کرنش دوبعدی قابل تنظیم است. ویژگی های منحصربه فرد این نانو ساختار امکان استفاده از آن را در ابزارهای الکترونیکی در مقیاس نانو و به طور خاص در حسگرهای الکترو-مکانیکی فراهم می کند.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    ناصری، مصیب، جلیلیان، جعفر، و صالحی، خالد. (1398). پیش یابی و بررسی خواص الکتریکی نانو ساختار دوبعدی سیلیسیم ژرمانیم فسفید (4SiGeP) با استفاده از روش ابتدا به ساکن. مجله علوم و فنون هسته ای، 40(90 (پیاپی 4) )، 62-69. SID. https://sid.ir/paper/97591/fa

    Vancouver: کپی

    ناصری مصیب، جلیلیان جعفر، صالحی خالد. پیش یابی و بررسی خواص الکتریکی نانو ساختار دوبعدی سیلیسیم ژرمانیم فسفید (4SiGeP) با استفاده از روش ابتدا به ساکن. مجله علوم و فنون هسته ای[Internet]. 1398؛40(90 (پیاپی 4) ):62-69. Available from: https://sid.ir/paper/97591/fa

    IEEE: کپی

    مصیب ناصری، جعفر جلیلیان، و خالد صالحی، “پیش یابی و بررسی خواص الکتریکی نانو ساختار دوبعدی سیلیسیم ژرمانیم فسفید (4SiGeP) با استفاده از روش ابتدا به ساکن،” مجله علوم و فنون هسته ای، vol. 40، no. 90 (پیاپی 4) ، pp. 62–69، 1398، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/97591/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button