فیلترها/جستجو در نتایج    

فیلترها

سال

بانک‌ها


گروه تخصصی


متن کامل


اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1403
  • دوره: 

    54
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    111-119
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    54
  • دانلود: 

    16
چکیده: 

A High-gain, fully balanced preamplifier is presented. The proposed structure advantages flipped voltage follower scheme to achieve a compact current conveyor with very low input impedance. The presented current conveyor then is used as a core element to realize a high-gain, gm-enhanced trans-conductance amplifier. The presented amplifier is suitable for application as a preamplifier. The high gain of amplifier makes it very suitable to be configured in a feedback form to deliver a high-precision predefined or programmable amplification gain. The proposed structure draws a very low power of 150nW from a 0.6V supply voltage. The Spectre Post-layout simulations with TSMC 180nm CMOS technology have been performed. The proposed amplifier exhibits an open-loop DC gain of 141.5dB and 3-dB frequency bandwidth of 2.4kHz at 60dB closed-loop configuration. The load capacitance is set to be 5pF. The proposed structure also delivers high CMRR and PSRR values of 148.3dB and 153.7dB, respectively.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 54

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 16 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

PIRY M. | KHANJANIMOAF M. | AMIRI P.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2014
  • دوره: 

    10
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    38-44
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    385
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

Abstract: Class-AB circuits, which are capable of dealing with currents several orders of magnitude larger than their quiescent current, are good candidates for low-power and high slew-rate analog design. This paper presents a novel topology of a class AB Flipped Voltage Follower (FVF) that has better slew rate and the same power consumption as the conventional class-AB FVF buffer previously presented in literature. It is thus suitable for low-voltage and low-power stages requiring low bias currents. These buffers have been simulated using 0.5 mm CMOS Technology models provided by IBM. The buffer consumes 16 mA from a 0.9 V supply and has a bandwidth of 52 MHz with an 18 pF load. It has a slew rate of 10.3 V/ms and power consumption of 36 mw.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 385

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1395
  • دوره: 

    16
  • شماره: 

    9
  • صفحات: 

    257-266
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    671
  • دانلود: 

    440
چکیده: 

در این پژوهش یک روش تحلیلی سه بعدی برای پیش بینی خواص دینامیکی نانوکامپوزیت های پلیمری ارائه می شود. در این روش با اعمال اصل همخوانی الاستیک- ویسکوالاستیک بر تئوری میکرومکانیکی سلول واحد ساده شده و با استفاده از روش انرژی و تعادل نیرو، مدول ذخیره، مدول اتلاف، فاکتور اتلاف و حلقه ی هیسترزیس نانوکامپوزیت های پلیمری استخراج می شود. نانوکامپوزیت در نظر گرفته شده دارای زمینه پلی پروپیلن تقویت شده با نانو الیاف کربن رشد یافته در فاز بخار می باشد. المان حجمی نماینده دارای سه فاز ایزوتروپ شامل الیاف، فاز میانی و زمینه با رفتار ویسکوالاستیک خطی بر اساس مدل زنر است. همچنین با ارائه ی روش تبدیل فوریه و مدل شیپری خواص دینامیکی اجزاء نانوکامپوزیت در حوزه ی فرکانس استخراج می گردد. ابتدا نتایج بدست آمده از مدل حاضر با نتایج تجربی، جهت اعتبارسنجی مقایسه می گردد. سپس اثر پارامترهایی نظیر تعداد زیرسلول ها، کسر حجمی و نسبت منظر الیاف، فاکتور قدرت پیوند بین الیاف و زمینه و فاکتور اتلاف فاز میانی بر خواص دینامیکی نانوکامپوزیت بررسی می شود. نتایج بدست آمده، نشان می دهند که روش ارائه شده از سرعت و دقت قابل قبولی برخوردار است. همچنین افزایش نسبت منظر و کسر حجمی الیاف باعث کوچک تر شدن حلقه ی هیسترزیس نانوکامپوزیت می شود، لذا ظرفیت میرایی آن کاهش می یابد. فاز میانی نیز تاثیر قابل توجهی بر خواص دینامیکی نانوکامپوزیت دارد، لذا مدل سازی آن اهمیت بالایی دارد.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 671

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 440 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
litScript
telegram sharing button
whatsapp sharing button
linkedin sharing button
twitter sharing button
email sharing button
email sharing button
email sharing button
sharethis sharing button