فیلترها/جستجو در نتایج    

فیلترها

سال

بانک‌ها




گروه تخصصی





متن کامل


اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2016
  • دوره: 

    13
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    54-60
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    333
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

Please click on PDF to view the abstract.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 333

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2012
  • دوره: 

    6
  • شماره: 

    4 (23)
  • صفحات: 

    30-38
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    330
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

Three new SRAM cells are proposed in this paper. Increasing area overhead is the major concern in SRAM design.One of the new structures is included four transistors instead of six transistors as it is used in conventional 6T-SRAM cell for very high density embedded SRAM applications. The structure of proposed SRAM employs one word-line and one bit-line during Read/Write operation. The new SRAM cell has smaller size, leakage current and power dissipation in contrast of a conventional six transistor SRAMs. A proposed 4T-SRAM cell has been simulated for 256 cells per bit-line and 128 columns cell for supply voltage of 1.2V. Furthermore, two other new structures are included 10 and 11 transistors. These new structures have been separate read and write process by changing in the structure of conventional 6T SRAM to achieve high Static Noise Margin (SNM). Using 10T and 11T SRAM cells lead to apply 512 cells per bit-line by reducing leakage current technique, while the cell is unavailable.128 columns cell array has been built to measure the operation of SRAM cell. To have low power dissipation, the supply voltage for 10T and 11T are chosen 0.32V and 0.27V, respectively. Proposed SRAM uses one read bit-line during read operation. Simulation results have been confirmed by HSPICE in 0.13um process.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 330

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1386
  • دوره: 

    13
تعامل: 
  • بازدید: 

    350
  • دانلود: 

    233
چکیده: 

این مقاله یک سلول چهار ترانزیستوری CMOS جدید SRAM را ارایه می دهد. از این سلول می توان درSRAM ها با تراکم بسیار بالا و توان مصرفی کم استفاده کرد. سلول جدید از یک Word- Line و یک Bit-Line استفاده می کند، و داده خود را با استفاده از مسیر فیدبک و جریان نشتی ترانزیستور ها بدون استفاده از سیکل تازه سازی نگهداری می کند. در قوانین طراحی Layout یکسان، سلول جدید 25 درصد مساحت کمتری را نسبت به سلول شش ترانزیستوری پایه اشغال می کند. انرژی مصرفی پویای سلول ارایه شده و سلول شش ترانزیستوری پایه به صورت تحلیلی مورد بررسی قرار گرفته اند، سلول جدید 60 در صد انرژی مصرفی پویای کمتری نسبت به سلول پایه دارد. به علاوه سلول جدید و سلول شش ترازیستوری پایه در تکنولوژی0.25mm  استاندارد با HSPICE 2006 شبیه سازی شده اند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که سلول جدید به در ستی کار می کند و کارایی مناسبی در مقایسه با سلول شش ترانزیستوری پایه دارا می باشد. همچنین نتایج شبیه سازی نشان می دهد که عبارت های تحلیلی به دست آمده دارای دقت مناسبی می باشند.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 350

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 233
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1396
  • دوره: 

    1
تعامل: 
  • بازدید: 

    365
  • دانلود: 

    949
چکیده: 

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 365

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 949
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1393
  • دوره: 

    12
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    51-59
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    2593
  • دانلود: 

    1223
چکیده: 

سلول حافظه SRAM شش ترانزیستوری معمولی در ولتاژهای کم قابلیت نوشتن مناسبی ندارد و نیز دچار خطاهای خواندن می شود. در این مقاله با ارائه یک طرح هشت ترانزیستوری برای سلول حافظه، علاوه بر بهبود قابلیت نوشتن، میزان خطای خواندن نیز به شدت کاهش یافته است. بدین ترتیب سلول ارائه شده توانایی کارکردن در ولتاژهای زیرآستانه در حد 275 میلی ولت را دارد، در حالی که سلول حافظه شش ترانزیستوری معمولی فاقد این قابلیت است. با طراحی سلول ارائه شده و سلول شش ترانزیستوری معمولی و نیز سه سلول دیگر از بین مقالات اخیر برای مقایسه در تکنولوژی 90 نانومتر صنعتی و انجام شبیه سازی با HSPICE ملاحظه شد که طرح مذکور در ولتاژ تغذیه 800 میلی ولت، تاخیر خواندن و نوشتن را به ترتیب به میزان 50% و 47.5%، نسبت به بهترین طرح از بین چهار طرح فوق کاهش داده است. همچنین میزان بهبود توان مصرفی یک عمل نوشتن در این ولتاژ، نسبت به بهترین طرح، 40% بوده است. از بین پنج طرح مقایسه شده، تنها طرح ارائه شده ما قابلیت کارکرد صحیح در ولتاژهای زیر آستانه را دارد. در انتها با تهیه چینش طرح ارائه شده در تکنولوژی 180 نانومتر صنعتی و انجام شبیه سازی بعد از چینش، اثر اضافه شدن پارامترهای پارازیتی در مدار چینش را مورد بررسی قرار داده ایم.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 2593

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 1223 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1396
  • دوره: 

    8
  • شماره: 

    3
  • صفحات: 

    135-144
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    629
  • دانلود: 

    541
چکیده: 

امروزه حافظه های استاتیک یکی از قسمت های مهم مدارات دیجیتال می باشند و به علت سرعت و قدرت مناسب، در ساخت پردازنده ها، به کارگرفته می شوند. همچنین از حافظه های استاتیک به منظور ایجاد حافظه های نهان استفاده می شود. با افزایش درخواست کاربردهای باطری محور، توجه ویژه ای به متدهای کاهش توان مصرفی بلوک های حافظه شده است. سلول های حافظه های استاتیک اغلب در مد نگهداری داده هستند. علاوه بر این با بزرگ شدن سایز حافظه های استاتیک، توان استاتیک اهمیت ویژه ای می یابد و بخش بیشتر توان مصرفی را به خود اختصاص می دهد، در نتیجه کاهش توان استاتیک در اولویت طراحی قرار می گیرد. در این مقاله یک سلول جدید حافظه ارائه شده است که کاهش توان استاتیک را به همراه دارد. در این طرح با قابلیت مسیر خواندن و نوشتن جداگانه، توان استاتیک نسبت به سلول سنتی شش ترانزیستوری %21/78 کاهش و حاشیه نویز استاتیک خواندن نسبت به سلول سنتی شش ترانزیستوری %59/202 افزایش یافته است. به منظور ارزیابی عملکرد سلول ارائه شده و مقایسه نتایج، شبیه سازی ها در تکنولوژیTSMC 130nm CMOS و تحت ولتاژ تغذیه 2/1 ولت صورت پذیرفته است.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 629

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 541 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1387
  • دوره: 

    6
  • شماره: 

    1 (الف)
  • صفحات: 

    44-55
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    754
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

در این مقاله به منظور بهبود سرعت و تراکم SRAMها، یک سلول پنج ترانزیستوری جدید CMOS ارایه شده است. از این سلول جدید می توان در تولید SRAMها با تراکم بالا و سرعت زیاد استفاده کرد. سلول جدید از یک bit-line در طول عملیات خواندن و نوشتن استفاده می کند و داده خود را با استفاده از فیدبک مثبت و جریان نشتی ترانزیستورها بدون استفاده از سیکل تازه سازی نگهداری می کند. در قوانین طراحی Layout یکسان سلول جدید 18 درصد مساحت کمتری نسبت به سلول شش ترانزیستوری پایه اشغال می کند و در شبیه سازی های انجام شده توسط HSPICE 2008 در تکنولوژی 0.25mm سرعت سلول جدید 27 درصد از سلول شش ترانزیستوری پایه بیشتر است. همچنین نتایج تحلیلی به دست آمده در این مقاله دلالت بر افزایش سرعت سلول جدید نسبت به سلول شش ترانزیستوری پایه دارند.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 754

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1400
  • دوره: 

    19
  • شماره: 

    3
  • صفحات: 

    189-198
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    270
  • دانلود: 

    97
چکیده: 

ترانزیستورهای دی کلکوژناید فلزات واسطه (TMDFET) از جمله افزاره های نوظهور هستند که در سال های اخیر مورد توجه محققین قرار گرفته اند. در این مقاله ابتدا اثر تغییر پارامترها، دما و منبع تغذیه بر عملکرد ترانزیستورهای TMDFET در مقایسه با تکنولوژی Si-MOSFET مورد بررسی قرار گرفته است و نتایج بیانگر میزان حساسیت کمتر TMDFET به این تغییرات در مقایسه با افزاره Si-MOSFET است. در ادامه با انتخاب مناسب نسبت های ابعاد ترانزیستورها، به ارزیابی کارایی سلول حافظه دسترسی تصادفی استاتیک شش ترانزیستوری پایه مبتنی بر TMDFET در مقایسه با فناوری Si-MOSFET در تکنولوژی nm 16 پرداخته شده است. شبیه سازی ها در دمای اتاق، ولتاژ تغذیه 7/0 ولت و شرایط یکسان برای هر دو افزاره TMDFET و Si-MOSFET در نظر گرفته شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی ها نشان می دهند که در SRAM مبتنی بر ترانزیستور TMDFET مقدار WTP به میزان 44/29% بیشتر و به همین نسبت توانایی نوشتن آن بیشتر است. علاوه بر آن مقدار به میزان 49/49% بیشتر است که بیانگر حاشیه نویز نوشتن بالاتر می باشد. مقدار تأخیر خواندن نیز به اندازه 48/29% کمتر است. به عبارت دیگر یک سلول SRAM مبتنی بر TMDFET از نظر توانایی نوشتن، حاشیه نویز استاتیکی خواندن و تأخیر خواندن عملکرد بهتری نسبت به Si-MOS-SRAM از خود نشان می دهد.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 270

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 97 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

Shafiei Alireza | Monajati Mehrnaz

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2025
  • دوره: 

    57
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    31-42
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    12
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

The escalating development of artificial intelligence and machine learning in Industry 4.0 and cyber-physical systems has heightened security challenges for humans. In addressing this, Physical Unclonable Functions (PUFs) have emerged as a promising, lightweight solution to enhance the security of Internet of Things (IoT) devices. The imperative need for secure and low-power cryptographic devices has become evident in the IoT domain and its evolving technologies. Although IoT has enabled battery-operated devices to transmit sensitive data, it has also introduced challenges, including high power consumption and security vulnerabilities. This paper presents an exploration of the utilization of adiabatic logic with carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs) for the design of lightweight IoT devices aimed at addressing these challenges. The proposed computing platform and architecture circuit, employing Static Random-Access Memory (SRAM), demonstrate the potential to enhance security and energy efficiency for IoT applications. Our research showcases highly resilient CNTFET and adiabatic logic-based SRAM-PUFs, exhibiting an ultra-low start-up power of 1.8 nw. The PUF metrics, including uniformity, reliability, and uniqueness, are 46.10%, 88.47%, and 48.84%, respectively, across a 150% process variation. In this paper, we conduct circuit simulations using 32nm CNTFET technology in HSpice to scrutinize the impact of threshold voltage fluctuations. Further post-processing procedures are executed using MATLAB software.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 12

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1402
  • دوره: 

    16
  • شماره: 

    2 (پیاپی 56)
  • صفحات: 

    43-54
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    56
  • دانلود: 

    17
چکیده: 

در این پژوهش، حجم حساس و بار بحرانی یک حافظه SRAM با تکنولوژی 65 نانومتری CMOS، به عنوان دو کمیت مهم در محاسبات ترابرد پرتو در رخداد به هم ریختگی تک حادثه ای (SEU) که رایج ترین رخداد در تحقیقات فضایی محسوب می شود، تعیین شد. بدین منظور، ابتدا یک سلول حافظه متشکل از ترانزیستورهای NMOS و PMOS با استفاده از نرم افزار Silvaco TCAD شبیه سازی شد. برای تعیین دو کمیت مذکور، پرتو با مقادیر مختلف از انتقال خطی انرژی (LET) به نواحی گوناگون ترانزیستورها تابانده شد و ولتاژ خروجی مورد بررسی قرار گرفت. بار بحرانی به عنوان کمترین بار لازم برای تغییر وضعیت منطقی سلول، با انتگرال گیری از جریان درین در لحظه تغییر وضعیت ولتاژ خروجی حاصل شد. برای تعیین حجم حساس نیز کمینه LET که در هر نقطه منجر به تغییر در وضعیت منطقی خروجی ها می شود، معیاری از حساسیت در نظر گرفته شد. نتایج ضمن تطابق با مراجع، مقادیر حجم حساس و بار بحرانی را به ترتیب µm3 054/0 و fC 48/1 نشان دادند.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 56

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 17 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
litScript
telegram sharing button
whatsapp sharing button
linkedin sharing button
twitter sharing button
email sharing button
email sharing button
email sharing button
sharethis sharing button