1سرامیکهای الکترونیکی بر پایه اکسید روی (بعنوان ماده اصلی سازنده) و پنتو اکسید وانادیم بعنوان آلایش، تهیه و به مدت 2 ساعت در دمای 1000 درجه سانتیگراد تفت جوشی شد. مطالعه خواص ساختاری آن توسط میکروسکوپ الکترونی و پراش اشعه X انجام شد که در آن، دانههای رشد یافته اکسید روی بعنوان فاز اصلی مشاهده شدند. با افزایش میزان پنتو اکسید وانادیم در ترکیبات، چگالی نمونهها افزایش یافت. همه نمونههای ساخته شده در محدودهای از میدان اعمال شده، رفتار غیر خطی جریان-ولتاژ از خود نشان دادند. ضریب غیر خطی در این ترکیبات شدیداً به درصد مولی آلایش وابسته بود و ولتاژ آستانه شکست با افزایش میزان آلایش کاهش یافت. رفتار غیر اهمی مشاهده شده با تشکیل سد پتانسیل در مرز بین دانه ها توضیح داده شد.