در این مقاله، اثر لایه جاذب GaSb بر روی کارآیی یک سلول خورشیدی با پیوند دوگانه CdS/CdTe مورد بررسی قرار گرفته است. در ابتدا، مشخصات الکتریکی سلول خورشیدی CdS/CdTe مرجع را، شبیه سازی و اعتبار سازی شده و با نتایج تجربی سلول خورشیدی CdS/CdTe ساخته شده، مقایسه می شود. به منظور افزایش بازده، یک ساختار جدید با استفاده از لایه جاذب GaSb ارائه شده است که سبب کاهش ضخامت سلول نیز می شود. نتایج نشان می دهد با استفاده از لایه جاذب GaSb می توان بازدهی سلول خورشیدی را 4/3 درصد در مقایسه با سلول مرجع افزایش داد. تحت شرایط 5/1 AM، ولتاژ مدار باز و چگالی جریان اتصال کوتاه و ضریب پری و بازده ساختار سلول خورشیدی بهینه شده به ترتیب V 91/0، 2mA/cm 2/28، 84/0 و 4/21% هستند.