پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران)
سال:1395 | دوره:6 | شماره:11 |تعداد مقالات:6

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایInAs  وZnO  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی با ثابت دی الکتریک کوچک (کوچکتر از ثابت دی الکتریک نیم رسانا) قدرت تابع دی الکتریک افزایش می یابد. همچنین رفتار تابع دی الکتریک برحسب تغییرات شعاع، چگالی حامل نانوسیم و دی الکتریک محیط در دمای هلیوم مایع و در گستره دمای 300-4 کلوین مورد پژوهش قرار داده ایم.

پرتوهای اینس- گاوس از جمله پرتوهای هلمهولتز-گاوس هستند که مجموعه کامل و متعامدی از جواب های معادله موج پیرامحوری در مختصات بیضوی را تشکیل می دهند. در این مقاله با محاسبه عددی ممان مرتبه دوم پرتو، به بررسی عامل M2 این پرتوها پرداخته شده است. سپس به وسیله برازش داده های عددی، یک مدل محاسباتی برای رفتار عامل M2 برحسب عدد مد ارائه شده است. نتایج نشان می دهند که رابطه عامل M2 پرتو به صورت تابع خطی و صعودی از مرتبه مد می باشد، در حالی که این عامل مستقل از عدد مد است. این محاسبات طراحان سیسستم های لیزر را در دست یابی سریع به عامل M2 این پرتوها یاری کرده و از انجام محاسبات پیچیده بی نیاز می گرداند.

لایه های نازک ZnS بر روی زیرلایه های شیشه ای در دماهای مختلف زیرلایه به دو روش تبخیر در خلا (PVD) و اسپری پایرولیزیز لایه نشانی شدند و در دمای 500oC درهوا بازپخت گردیدند. تغییر در خواص اپتیکی و ساختاری لایه ها توسط طیف پراش اشعه ایکس و طیف سنجی UV/VIS بررسی شد و همچنین به کمک داده های طیف عبوری، گاف انرژی محاسبه گردید. نتایج آزمایش ها حاکی از آن است که همه لایه ها دارای ساختار مکعبی هستند. تبلور لایه ها در نتیجه بازپخت بهبود و اندازه دانه ها افزایش یافته است. توان عبور نور از لایه ها در هر دو روش با افزایش ضخامت کاهش یافته است اما در نتیجه بازپخت میزان عبور لایه های تهیه شده به روش PVD افزایش و عبور فیلم های ساخته شده به روش افشانه ای کاهش پیدا کرده اند. علاوه بر آن نتایج متفاوتی در مقادیر گاف انرژی در اثر افزایش در ضخامت و عمل بازپخت در هر دو روش مشاهده می شود.

در این مقاله با اعمال فرمولبندی سه جسمی با شرایط مرزی تصحیح شده در تقریب مرتبه اول بورن و استفاده از روش مدل الکترون فعال، دامنه الکترونی مرتبه اول و دامنه بین هسته ای مرتبه اول محاسبه شده است. با استفاده از دامنه های جزیی، سطح مقطع پراکندگی جزیی و کل، برای تشکیل پوزیترونیوم در برخورد پوزیترون با مولکول متان در انرژی های میانه، بالا و غیرنسبیتی محاسبه شده، سطح مقطع کل با نتایج تجربی موجود مقایسه شده است. محدوده انرژی برخورد 400 eV تا 2 keV و زاویه پراکندگی پوزیترون 0 تا 180 درجه انتخاب گردیده است. سطح مقطع در چارچوب مرکز جرم محاسبه و به چارچوب آزمایشگاه تبدیل شده است.

در این مقاله، نانوساختارهای هگزافریت استرانسیوم نوع W- با ترکیب SrNi2Fe16O27 با نسبت مولی اسیدسیتریک به نیترات های فلزی 1، 1.5 و 2 به روش سل-ژل خود احتراقی تهیه گردید. ابتدا از نمونه ها ژلی در دمای 300oC احتراق داده شد، و در نهایت در دماهای 900، 1000 و 1100oC بازپخت شد. نانوساختارهای ساخته شده با استفاده از دستگاه های الگوی پراش پرتوی ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM)، اسپکتروفوتومتری تبدیل فوریه مادون قرمز (FT-IR) و مغناطیس سنج نمونه ارتعاشی(VSM)  مشخصه یابی شدند. الگوی پراش پرتوی ایکس نمونه ها نشان داد که در نسبت مولی 1 فاز خالص در دمای 1000oc تشکیل می شود و هرچه نسبت مولی اسیدسیتریک به نیترات های فلزی افزایش یابد دمای لازم برای تشکیل فاز  SrNi2Fe16O27افزایش می یابد. نتایج حاصل از میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی نشان داد که در نسبت های مولی مختلف ریخت شناسی های مختلفی بدست آمد و با افزایش نسبت مولی اسید سیتریک اندازه ذرات افزایش می یابد. وجود قله های جذبی  FT-IRدر گستره  430-470cm-1و 550-590cm-1 در همه نمونه ها، به ترتیب بیانگر تشکیل خوشه های چهاروجهی و هشت وجهی اکسیدهای فلزی در فریت ها هستند. منحنی پسماند مغناطیسی نمونه ها نشان داد که با افزایش نسبت مولی اسید سیتریک به نیترات های فلزی مغناطش اشباع ویژه افزایش و همچنین میدان وادارندگی کاهش می یابد.

با استفاده از نظریه تابعی چگالی اختلالی، بارهای موثر بورن، بسامدهای فونونی مرکز ناحیه بریلوئن و طیف بازتاب مادون قرمز در فرود عمود بر سطوح [100] و [001] برای بلور BaWO4 به دست آمده اند. اختلاف زیاد بارهای موثر بورن به دست آمده با بارهای یونی اسمی بیانگر پیوندهای شیمیایی با طبیعت یونی-کوالانسی آمیخته است. با استفاده از نظریه گروه و جدول مشخصه گروه نقطه ای C4h، مدهای فونونی برحسب گونه های تقارنی شناسایی شدند. بسامدهای فونونی به دست آمده تطابق خوبی را با مقادیر تجربی گزارش شده نشان می دهند. نتایج به دست آمده، بسامد یک مد فعال رامان از گونه تقارنی Bg که به طور تجربی مشاهده نشده است را پیش بینی می کنند.