پژوهش فیزیک ایران
سال:1402 | دوره:23 | شماره:1( پیاپی 91) |تعداد مقالات:25

در این مطالعه اثر نقیصه های نقطه ای بر رسانش حرارتی دی اکسید اورانیوم بررسی شده است. به طور خاص اثر اکسیژن بین نشین و تهی جای مورد توجه بوده است. با حل معادلۀ ترابرد فونون بولتزمن با استفاده از تقریب زمان واهلش، رسانش حرارتی دی اکسید اورانیوم برای ابرسلول های UO2 ، UO2+0.25 و UO2-0.25 به دست آمده است. ننتایج نشان دادند که افزودن هر نقیصه ای در ساختار شبکۀ دی اکسید اورانیوم، رسانش حرارتی را به طرز چشمگیری کاهش می دهد. همچنین نتایج نشان دادند که تغییرات رسانش حرارتی ابرسلول UO2-0.25 بسیار کمتر از UO2+0.25 در بازۀ دمایی 300 تا 1000 کلوین است.

مقاومت مغناطیسی بزرگ به دلیل کاربرد های فراوان آن در شاخه های مختلف از جمله ساخت حسگر های مغناطیسی مورد توجه زیادی قرار گرفته است. حالت مهمی از این نوع مقاومت، مقاومت مغناطیسی خطی ناشی از ناهمگنی توزیع بار است. مقاومت مغناطیسی رسانای ناهمگن به وسیلۀ مدل شبکه ای مقاومت دو بعدی شبیه سازی می شود. در مدل شبکه ای، واحد مقاومت قرص دایره ای همگن با چهار پایانۀ جریان و اختلاف پتانسیل بین پایانه ها در نظرگرفته و جریان ها و اختلاف پتانسیل ها به وسیلۀ ماتریس امپدانس به یکدیگر مرتبط می شوند و میدان مغناطیسی اعمالی عمود برشبکه است. در این مقاله تغییرات مقاومت مغناطیسی برای شبکه ای شامل دو زیرسامانه با مقاومت های متفاوت با چینش مورب را مطالعه و بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد تغییرات مقاومت مغناطیسی سامانۀ ناهمگن به نسبت مقاومت دو ماده و همچنین مکان مرز بین آنها بستگی دارد. علاوه براین مشاهده شد که برای مقادیر بزرگ نسبت مقاومت یا ناهمگنی بالا امکان وجود قله در تغییرات مقاومت وجود دارد.

در این مقاله نوسانات الکترومغناطیس یک مغناطوپلاسمای کوانتومی غیر یکنواخت الکترون-پوزیترون در اندرکنش با تب کوتاه لیزری را، در تقریب بسامد کوتاه، در دو راستای موازی و عمود برجهت انتشار لیزر مورد بررسی قرار داده­ایم. با توجه به بررسی­ها، امواج در جهت موازی بیشترین تأثیر را از نیروی اثرگذار لیزر دارند. تصحیحات کوانتومی باعث تغییر اندازۀ این نیرو شده و بنابراین باعث تغییر سرعت فاز و گروه این امواج و همچنین میزان ناپایداری آنها می­شود. در جهت موازی، مقدار پارامترهای اولیۀ چگالی و سرعت شاره­ای به صورت مستقیم بر امواج موازی تأثیر می­گذارند و تأثیر این امواج از میدان مغناطیسی خارجی فقط به واسطۀ حضور لیزر است. همچنین جذب تب لیزری در پلاسما باعث تقویت امواج پلاسمایی در جهت انتشار لیزر شده و باعث میرایی آنها در جهت مخالف این انتشار است، در حالی­که تقویت آن باعث میرایی امواج پلاسمایی در جهت انتشار تب لیزری شده و باعث رشد آنها در جهت مخالف می­شود. امواج در جهت عمود علاوه بر تأثیر از مقادیر پارامترهای اولیۀ چگالی، سرعت شاره­ای و میدان مغناطیسی، تحت تأثیر اندازۀ گرادیان­های عرضی این کمیت­ها نیز هستند (در حالی­که این گرادیان­ها هیچ تأثیری بر روی امواج موازی ندارد). همین­طور رفتار امواج در جهت عمود به صورت کامل به ازای حضور تک تک گرادیان­های عرضی و تغییر مقادیر آنها بررسی شده است. حضور هر کدام از این گرادیان­ها نوع رفتارموج را به صورت کامل می­تواند تغییر دهد. همچنین بررسی­ها نشان داد که حضور گرادیان­های عرضی چگالی اولیه و یا سرعت شاره­ای هر کدام به تنهایی، نمی­تواند امواج الکترومغناطیس را در جهت عمود راه­اندازی کند؛ در حالی که گرادیان عرضی میدان مغناطیسی به تنهایی، عاملی برای راه­اندازی امواج عمود است.

تاکنون فرایندهای پراکندگی متفاوتی در مدل استاندارد ناجابجایی مطالعه و بررسی شده­اند و حدودی برای پارامتر ناجابجایی تعیین شده است. در این مقاله، قصد داریم برای اولین بار فرایند تولید هادرون از نابودی زوج را در مدل استاندارد ناجابجایی مطالعه کنیم. در مطالعات تجربیِ تولید هادرون در نابودی زوج، گسترۀ وسیعی از طیف انرژی برخورد ( ) مورد توجه قرار گرفته­ است. در این پژوهش با کار در محدودۀ انرژی و با داشتن داده­های آزمایشگاهی گروه بل برای سطح مقطع تولید مزون B در فرایند ، حد کمینۀ را برای مقیاس ناجابجایی تعیین خواهیم کرد. در واقع با بررسی اثر ناجابجایی روی سطح مقطع دیفرانسیلی پارتونی ( ) و همچنین تابع ترکش مزون و مقایسۀ سطح مقطع نظری و داده­های آزمایشگاهی حد کمینه تعیین­ خواهد شد. با داشتن رابطۀ تحلیلی به دست­آمده برای سطح مقطع نابودی زوج در مدل استاندارد ناجابجایی، می­توان به ازای مقادیر متفاوت پارامتر ناجابجایی مقدار سطح مقطع را برای تولید هر مزون یا باریون تعیین کرد.

در این مقاله، ترابرد الکترونی برای یک سامانۀ متشکل از مولکول DNA دورشته­ای با توالی تلومریک متصل به دو الکترود نیمه ­متناهی نانونوار سیلیسینی مورد مطالعه قرار گرفته است. این مطالعه، با استفاده از مدل تنگ­بست و رهیافت تابع گرین مورد بررسی قرار گرفته است. با قرار دادن مولکول DNA در وسط دو الکترود نانونوار سیلیسینی شاهد کانال­های عبور الکترون در سامانه هستیم و همچنین، نوع بازهای آلی متصل به الکترودها تأثیر به­سزایی در ترابرد الکترونی سامانه را نشان دادند. محاسبات نشان می­دهند که توالی­های تلومریک مانند: TAGGGT، TTAGGG و GTTAGG نسبت به بقیۀ توالی­ها بیشترین رسانش الکتریکی را دارند. ما دریافتیم که با کنترل ولتاژ گیت (دروازه) در سامانه می­توان جریان یا رسانش بار را کنترل کرد. همچنین، با افزایش تعداد جفت بازهای آلی در سامانه، شاهد افزایش جریان بودیم و با کنترل تعداد جفت بازهای آلی می­توان ویژگی­های ترابردی را کنترل کرد. این توانایی کنترل، کاربرد فراوانی و نقش به­سزایی در ساخت قطعات الکترونیکی دارد.

در این مقاله، کنترل الکتریکی جابه جایی جانبی پرتوهای بازتابی از یک بره نانوکامپوزیت کایرال ساختاری شبه همسانگرد به صورت نظری بررسی شده است. این محیط از یک مادۀ کایرال ساختاری شبه همسانگرد که در آن نانو ذرات نقره به طور تصادفی در محیط کایرال پراکنده شده اند، ساخته شده است. نتایج نشان می دهد که در غیاب میدان الکتریکی با بسامد پایین، ساختار هیچ گاف باند فوتونی ندارد و جابه جایی جانبی نور بازتابیده از این ساختار بسیار ناچیز است. با اعمال میدان الکتریکی با بسامد پایین یک گاف باند فوتونی در طیف عبور ساختار ظاهر می شود که تنها از انتشار امواج قطبیدۀ دایروی راستگرد جلوگیری می کند. در لبه های این گاف باند، جابه جایی های جانبی مثبت و منفی بزرگی مشاهده می شود. در این مقاله از خواص فوق الذکر برای طراحی سوییچ های الکترواپتیکی استفاده شده است. همچنین نشان داده شده است که این جابه جایی های جانبی با تغییر زاویۀ تابش نور، کسر پرشوندگی نانوذرات فلزی و ضخامت بره قابل کنترل است.

پرتوهای یونساز در اثر برهمکنش های فیزیکی و شیمیایی با DNA سلول ها، باعث ایجاد آسیب های اولیه و طولانی مدت در مادۀ وراثتی می شوند. این نوع آسیب ها عمدتاً به صورت شکست های تک رشته ای و دو رشته ای در DNA ایجاد می شود و در صورت عدم ترمیم توسط سلول، می توانند به جهش های مادۀ وراثتی و یا مرگ سلول منجر شوند. در این پژوهش آسیب های ناشی از پرتوهای پروتون و همچنین یون های کربن که امروزه اهمیت بالایی در مطالعات پرتودرمانی دارند، در DNA سلول زنده با کد MCDS مورد بررسی قرار گرفته است. به منظور بررسی دقت نتایج کد MCDS در این پژوهش، احتمال هر نوع شکست و بازده شکست های مختلف محاسبه شده و با نتایج کارهای قبلی با Geant4-DNA مقایسه شده است. نتایج این پژوهش، خصوصاً از نظر شکست های دو رشته ای به نتایج محاسبه شده با کد Geant4-DNA بسیار نزدیک است. البته اختلاف هایی در نتایج نیز وجود دارد که به دلیل تفاوت در سطح مقطع های دو کد خصوصاً در برهمکنش های یونیزاسیون و برانگیختگی و همچنین سرعت واکنش های شیمیایی رادیکال های شیمیایی است. نتایج این پژوهش در زمینۀ بازده شکست های دو رشته ای، می تواند در طراحی درمان با پرتوهای پروتون و یون های کربن بسیار مفید باشد.

امروزه یکی از روش های دزسنجی در پرتودهی خارجی انجام محاسبات پیچش/برهم نهی با بهره گیری از کرنل دزجذبی فوتون است. کرنل دزجذبی برابر با توزیع دزجذب شده حول محل برهم کنش فوتون بر واحد تعداد برهم کنش های اولیه انجام شده درون یک حجم کوچک از ماده است. هدف از انجام این پژوهش محاسبۀ کرنل دزجذبی فوتون و مطالعۀ رفتار شعاعی و زاویه ای آنها است. در این پژوهش کرنل دزجذبی با روش مبتنی بر ابزار مونت کارلو Geant4 برای فوتون تک انرژی در بازۀ انرژیMeV 5-0٫3 در یک مادۀ همگن در مختصات کروی محاسبه شده است. به منظور مطالعۀ دقیق، مقدار آن براساس ذرات باردار تولیدشده در برهم کنش های متوالی فوتون گروه بندی شد. با توجه به نتایج، مقدار کرنل دزجذبی با افزایش زاویه ، نسبت به امتداد جهت فوتون اولیه، به سرعت کاهش می یابد. با افزایش فاصلۀ شعاعی از محل برهم کنش، مقدار آن افزایش و سپس شدیداً کاهش یافت. کرنل دزجذبی برای فوتون با انرژی اولیۀ پایین حول محل برهم کنش تقریباً به صورت متقارن توزیع شد، درحالی که با افزایش انرژی اولیه، در زاویه های روبه جلو توزیع شد.

در این پژوهش، ابتدا ساختار یک نانونوار فسفرین دولایه معرفی می شود. سپس، برای ساختار ساده سازی شده ی این سامانه در حضور تهی جا تابع موج جایگزیده ای که منشأ توپولوژیک دارد به شکل تحلیلی بررسی می شود و نتایج تحلیلی با روش عددی مقایسه می شود. در محاسبۀ عددی چگالی احتمال جایگزیده (LDOS) از رهیافت لاندائر- بوتیکر استفاده می شود. در آخر برای فسفرین دولایه، با لحاظ کردن پارامترهای بیشتر، تابع موج و انرژی حالت جایگزیده در حضور تهی جا به روش عددی گزارش شده است.

جفت شدگی قوی و بلندبرد دینامیک مغناطش دو لایۀ آنتی فرومغناطیس به واسطۀ فونون های منتقل شده توسط یک عایق غیرمغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته است. دینامیک مغناطش در یکی از لایه های آنتی فرومغناطیس از طریق برهمکنش مغناطوکشسانی منجر به برانگیختگی فونون ها و پمپاژ آنها به لایۀ غیرمغناطیسی می شود. انتقال فونون ها، که با خود تکانۀ زاویه ای حمل می کنند، از طریق عایق غیرمغناطیسی از یک لایۀ آنتی فرومغناطیس به لایۀ دیگر، منجر به ایجاد به یک طرح تداخلی در طیف جذب می شود که بیانگر جفت شدگی دینامیک مغناطش دو لایه است.

در این مقاله، مدل الکترودینامیک کوانتومی چهار بعدی با تقارن SIM(2) را در چارچوب نسبیت خیلی خاص در نظر می گیریم. ابتدا به بررسی تقارن همیوغ باری کنش در حد درختی (کلاسیک) پرداخته و نشان می دهیم که این کنش تحت تبدیل همیوغ باری ناورداست. سپس جهت بررسی اختلالی حفظ تقارن همیوغ باری در حد حلقه (کوانتومی)، روی نمودارهای تک- حلقه با تعداد فرد پای فوتونی متمرکز خواهیم شد. برای این منظور، با استفاده از رهیافت کنش مؤثر، شکل کلی توابع فرد-نقطه ای فوتون را به دست آورده و رفتار توابع یک و سه- نقطه ای فوتون را تحت تبدیل همیوغ باری مطالعه می کنیم. محاسبات ما نشان می دهد دامنۀ کل توابع یک و سه- نقطه ای صفر بوده و تقارن همیوغ باری در حد کوانتومی حفظ می شود. در ادامه، با استفاده از روش غیر اختلالی، نشان می دهیم این تقارن در حد کوانتومی (در تمام مراتب) موجود بوده و دامنۀ تمام توابع فرد- نقطه ای فوتون صفر می شود.

بازنشانی یا راه اندازی مجدد در فیزیک فرایندهای تصادفی به اشکال متفاوت تعریف می شود. در این پژوهش یک گشت تصادفی یک-بعدی غیرمارکوف را در نظر می گیریم. در اینجا بازنشانی دینامیک سامانه را به نحوی تغییر می دهد که سامانه پس از بازنشانی ضمن از دست دادن تمام حافظه، به نقطۀ مشخصی در فضای پیکربندی می رود تا از آن نقطه مجدداً شروع به تحول کند. در راستای مطالعۀ این سامانۀ غیرمارکوف به محاسبۀ تحول زمانی ممان ها و نیز رفتار زمان بلند آنها خواهیم پرداخت و اثرات بازنشانی را بررسی خواهیم کرد. محاسبات تحلیلی زمان بلند نشان می دهند که تابع توزیع احتمال در فضای پیکربندی به یک حالت پایا می رسد. از سوی دیگر حالت پایای سامانه هرگز به ازای هیچ مقداری از احتمال بازنشانی، توزیع گوسی نخواهد داشت. نشان خواهیم داد که بر خلاف حالت بدون بازنشانی ممان ها در زمان های بلند اشباع می شوند. این موضوع با انجام شبیه سازی مونت کارلو نیز تأیید شده است.

امروزه با گسترش کاربرد لایه های نازک در صنعت و علوم پزشکی، روش های تولید آنها نیز مورد توجه قرار گرفته است. یکی از آن روش ها، روش تبخیر مواد به کمک تفنگ الکترونی است. مهم ترین بخش در تفنگ الکترونی، اپتیک الکترون است که وظیفۀ تولید و شتابدهی به الکترون را به عهده دارد؛ به طوری که با اصلاح و کنترل هر چه بهتر ویژگی های پرتو الکترونی (شکل و قطر پرتو) در محل هدف، امکان تبخیر مواد دیرگداز در مدت زمان کوتاه تر ممکن می شود. کاهش و کنترل قطر پرتو در این منبع تبخیر به پارامترهای مختلفی از جمله هندسۀ دستگاه، شدت میدان مغناطیسی، توان الکتریکی و... وابسته است. از این‎رو در این کار پژوهشی با انجام آزمایش های تجربی و استفاده از نرم افزارهای المان محدود و مدل سازی به بررسی اثر آن پارامترها پرداخته شد. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان داد که اثر پارامترهای مؤثر بر قطر پرتو تا حد خوبی قابل پیش بینی است و می توان با تغییر در شکل هندسی، ابعاد و موقعیت اجزای تفنگ الکترونی ، قطر پرتو الکترونی را کاهش داد. در ادامه با اعمال این تغییرات در ساخت دستگاه و انجام آزمایش های تجربی، تفنگ الکترونی جدید در مقایسه با نمونۀ اولیه موجود، بهینه و قطر پرتو آن با %40 کاهش، متمرکزتر شد‏.

مهم ترین ویژگی غیرخطی در پاسخ الکتروآنسفالوگرام (EEG) به تحریک خارجی مغز، تولید هارمونیک ها و کشش بسامدی است که ناشی از برهمکنش بین محرک خارجی و نوسانات مغز است. در این مقاله، با استفاده از مدل پیوستۀ میدان عصبی در سامانۀ کورتکس-تالاموس، دینامیک غیرخطی مغز و تولید هارمونیک ها را در پاسخ به تحریک خارجی دوره ای بررسی می کنیم. ابتدا با معرفی مدل کامل و فشردۀ میدان عصبی، معادلات حاکم بر تحول پتانسیل مغز را به دست می آوریم. سپس با استفاده از روش اختلال کاهش یافته و مقیاس های زمانی چندگانه نشان می دهیم که پاسخ نوسانات مغز در هارمونیک های متفاوت، بسامد نوسانات خارجی است که مرتبط با سیگنال های EEG ثبت شده از نمونه های انسانی در وضعیت بیداری است. در انتها با شبیه سازی مدل کامل میدان عصبی، طیفی از تولید هارمونیک ها در بسامد های متفاوت تحریک خارجی به دست آمده است که مرتبط با نتایج تجربی برهمکنش تحریک وابسته به نور با مغز است.

یکی از روش‏های ارزیابی بر خط برد پروتون در پروتون درمانی زمان پرواز گامای آنیTOF است. در این روش طیف زمان گیری گامای آنی یا طیف PGT بر مبنای اختلاف زمان ورود پروتون به ماده و زمان آشکارسازی گامای آنی اندازه گیری می ‏شود. در این مطالعه، فانتوم همگن PMMA و فانتوم‏ های PMMA با لایه ای‏ از جنس استخوان یا حفرۀ هوا، با ابزار GEANT4 شبیه‏ سازی شد. این اهداف با باریکۀ مدادی پروتون با انرژی اولیۀ MeV 150 مورد تابش قرار گرفته ‏اند و طیف PGT حاصل از آنها توسط آشکارسازهای سوسوزن ثبت شد. سپس یک کد در نرم ‏افزار متلب برای حل تحلیلی سینماتیک حرکت پروتون در فانتوم تنظیم شد و طیف PGT حاصل از شبیه ‏سازی با ابزار GEANT4، به عنوان ورودی به این کد نرم افزاری داده شد و طیف مکان گسیل گامای آنی در فانتوم به دست آمد. در این مطالعه، اثر ‏جنس و موقعیت لایه‏ های ناهمگن بر روی طیف PGT و طیف مکان گسیل گاماهای حاصل از تبدیل PGT، مورد تحقیق قرار گرفت.از مقایسۀ طیف مکان گسیل گامای آنی حاصل از تبدیل طیف PGT، با قدرت توقف حاصل از شبیه‏ سازی با ابزار GEANT4 ، مشاهده شد تغییر برد و تغییر محل انباشت انرژی حاصل از یک ناهمگنی درPMMA ، نسبت به فانتوم مرجع ارتباط معنا داری دارد. وجود یک لایۀ ناهمگن از جنس استخوان و حفرۀ هوایی با ضخامت mm10 برد پروتون را نسبت به برد آن در فانتوم مرجع به ترتیب mm 4 و mm9/6 جا‏به جا می‏ کند و قدرت توقف برای این حالت‏ ها به ترتیب mm 4/8 و mm 9/9 نسبت به قدرت توقف فانتوم مرجع جابه جا می ‏شود. بنابر‏این طیف PGT منعکس کنندۀ زمان انتقال پروتون در ماده است و امکان تعیین مکان گسیل گاما و امکان تأیید تحویل دز به بدن بیمار را فراهم می‏ کند.

ما به بررسی پدیدۀ انتقال انرژی و اسپینی در یک زنجیرۀ آیزینگ یک بعدی که دو انتهایش به دو حمام گرمایی مجزا در دماهای متفاوت متصل است، می پردازیم. با لحاظ کردن تقریب بورن مارکوف و فرض اندرکنش ضعیف، تحول سامانه را از نوع مارکوف در نظر گرفته و با استفاده از رویکرد جمعی، صراحتاً عملگرهای لیندبلاد را به دست آورده، حالت پایای سامانه را به دست می آوریم. همچنین دینامیک انرژی و برانگیختگی ها در دو سر زنجیره را مطالعه می کنیم. سپس همین مسئله را با رویکرد موضعیِ پدیده شناختی بررسی کرده و نشان می دهیم که حالت پایا و همچنین نتایج جریان انرژی و اسپینیِ به دست آمده از دو رویکرد یکسان نیستند

سرطان مغز کمترین درصد امید به زندگی در بین سرطان­های مختلف را دارد و این سرطان بیش از سایر سرطان­ها باعث مرگ افراد زیر 40 سال شده است. بنابراین، در این مقاله درمان سرطان مغز با روش غیرتهاجمی نور-گرما درمانی و با به کاربردن نانومیله­های طلا مورد بررسی قرار می­گیرد و تأثیر عوامل مختلف از جمله توان تابش و تمام پهنا در نصف ارتفاع بیشینۀ (FWHM) توزیع فضایی تابش لیزر بر موفقیت فرایند درمان مورد ارزیابی قرار می­گیرد. شبیه­سازی­ها با حل معادلات سه بعدی انتقال زیست-گرمایی پنس، قانون بیر -- لامبرت و در حضور نانومیله­های طلا و با توزیع فضایی گوسی باریکۀ لیزر و همچنین شرایط اولیه و مرزی با روش اجزای محدود (FEM) انجام می­شود. نتایج بررسی­ها نشان می­دهد که توان و شعاع لکۀ تابش لیزری دو کمیت مهم در موفقیت درمان هستند. این دو کمیت بر دز انرژی گرمایی دریافت شده توسط بافت سرطانی تأثیر گذاشته و میزان دما و کسر تخریب نقاط مختلف بافت و غده را کنترل می­کنند. همچنین، شعاع­های باریکۀ لیزری کوچک تر و بزرگ تر از R1/1 (R شعاع غده مغز است) منجر به اختلاف دمای به ترتیب بیشتر و کمتر در نقاط مختلف غده می­شود. بیشترین دما و تغییرات دما با زمان در همه شرایط در نقطۀ مرکزی غده که نور لیزر وارد بافت سرطانی می­شود، وجود دارد. علاوه­براین، افزایش توان از 5/0 به 1 وات باعث افزایش دمای نقاط مختلف بافت غده می­شود و فرایند تخریب بازگشت­ناپذیر همچنان پس از خاموش­شدن لیزر نیز به دلیل قرار گرفتن نقاط غده در دمای بالاتر از 42 درجه سانتی گراد و نیز انتقال گرما به دلیل رسانش و همرفت ادامه دارد.

در این مقاله، لایه های نازک کربید زیرکونیوم (ZrC) با استفاده از روش کندوپاش مغناطیسی واکنشی بر روی زیرلایه های آلومینیوم و شیشه تولید شدند. از مطالعۀ نسبت های مختلف گاز استیلن (C2H2، گاز واکنشی) در مخلوط گازی استیلن و آرگون (گاز کندوپاشی) مشخص شد این نسبت تأثیر بسزایی در خواص میکروساختاری و رفتار خوردگی لایه های نازک کربید زیرکونیوم و در نتیجه بهبود مقاومت به خوردگی آلومینیوم دارد. برای شناسایی خواص میکروساختاری لایه های نازک ZrC از پراش پرتو ایکس (XRD) استفاده شد. به منظور بررسی رفتار خوردگی این پوشش ها، از آزمون پلاریزاسیون پتانسیودینامیکی و آزمون طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی در محلول 5/3 درصد NaCl بهره گرفته شد. همچنین از میکروسکوپ الکترونی روبشی به منظور بررسی ریخت شناسی سطح و ضخامت پوشش ها استفاده شد

در این مقاله، ابتدا یک سامانه شامل دو کاواک اتلافی را که در هرکدام از آنها یک اتم دوترازی قرار دارد معرفی می کنیم. هرکدام از اتم ها تحت تأثیر یک میدان لیزری کلاسیکی قرار دارند که باعث جابه جایی ترازهای انرژی آنها می شود. ارتباط بین دو کاواک توسط جملۀ برهم کنشی میدان-میدان آورده می شود. از مدل گاردینر-کولت برای توصیف اتلاف در این تحقیق استفاده می کنیم. بعد از معرفی هامیلتونی سامانه، با استفاده از تکنیک فانو، و معرفی دو مجموعه عملگرهای جدید، هامیلتونی سامانه را ساده تر می کنیم. همچنین، با معرفی پایه های پوشانندۀ اتمی، هامیلتونی سامانه به یک شکل قابل حل درخواهد آمد. سپس، با استفاده از تکنیک تبدیلات لاپلاس، معادله وابسته به زمان شرودینگر را حل کرده و شکل صریح تابع موج سامانه را در هر لحظه از زمان پیدا می کنیم. با داشتن تابع موج سامانه اتم-اتم و با استفاده از معیار توافق، دینامیک درهم تنیدگی سامانه را در دو رژیم برهم کنشی قوی و ضعیف متناظر با رژیم غیرمارکوفی و مارکوفی بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهند که هیچ حالت پایداری از درهم تنیدگی در این سامانه وجود نخواهد داشت. همچنین نشان خواهیم داد که میدان لیزری کلاسیکی نقش سازنده ای در حفظ درهم تنیدگی اولیه و همچنین درهم تنیدگی تولیدشده خواهد داشت.

بازده ایزوتوپی و نیمه عمر شکافت خودبه خودی ایزوتوپ های (_ 104^266)Rf و (_104^268)Rf هستۀ ابرسنگین رادرفوردیوم محاسبه و با مقادیر تجربی مقایسه شده است. برای هر جفت پاره های شکافت، احتمال تونل زنی از سد شکافت و ثابت واپاشی با استفاده از روش WKB محاسبه و از مجموع ثابت واپاشی دو پارگی های محتمل، ثابت واپاشی کل و سپس نیمه عمر شکافت خودبه خودی دو ایزوتوپ را به دست آوردیم. برای محاسبۀ سد شکافت واپاشی از پتانسیل هسته ای مجاورتی به علاوه پتانسیل کولنی استفاده کرده ایم (به علت زوج-زوج بودن دو ایزوتوپ، اسپین هسته ها صفر و بنابراین پتانسیل گریز از مرکز صفر در نظر گرفته شده است). سد پتانسیل شکافت بر حسب عدد جرمی پارۀ شکافت برای دو ایزوتوپ رسم شده است. معمولآ شکافت خودبه­خودی در هسته­های ابرسنگین به گونه­ای رخ­ می­دهد، که انرژی تحریکی هستۀ مادر، کم و بنابراین تعداد نوترون های گسیل شده به همراه شکافت کم و قابل صرف نظر کردن می شود. بدین سبب در این روش که به شکافت سرد معروف است معمولآ از گسیل نوترون به همراه شکافت صرفنظر می شود. بهره های ایزوتوپی محاسبه شده برای دو ایزوتوپ (_ 104^266)Rf و (_104^268)Rf برای دو پارگی های محتمل، نشان داده شده است که تولید دو پاره (_52^134)Teو(_52^132)Te به ترتیب برای ایزوتوپ های (_104^266)Rf و (_104^268)Rf بیشترین بهره را دارند. وجود اختلاف خیلی کم بین مقادیر محاسبه شده و مقادیر اندازه گیری شده نشان دهندۀ اعتبار و دقت روش مورد استفاده است

در کار حاضر یونش یگانۀ اتم هلیوم از حالت پایه و اولین حالت برانگیخته در برخورد با یون های کربن برهنه (6+C ) با انرژی 100 مگا الکترون ولت بررسی شده است. سطح مقطع جزئی کامل با استفاده از روش اختلالی موج واپیچیدۀ پیوستۀ چهارجسمی در حالت پسین محاسبه شده است. اثرات همبستگی استاتیکی الکترون ها با انتخاب تابع موج سیلورمن برای حالت پایۀ اتم هلیوم وارد مسئله شده است. نتایج سطح مقطع جزئی کامل در صفحات سمتی مختلف برای الکترون های یونیزه شده با انرژی 5/6 الکترون ولت و اندازه حرکت انتقال یافته 0.75 در واحد اتمی با نتایج تجربی و نتایج نظری مبتنی بر فرمول بندی سه جسمی مقایسه شده است. همچنین تغییرات سطح مقطع دیفرانسیلی کامل در صفحۀ پراکندگی برای الکترون های یونیزه شده با انرژی ها و اندازه حرکت های انتقال یافته متفاوت در مقایسه با نتایج تجربی و نظری مورد مطالعه قرار گرفته است.

مدل استاندارد کیهان شناسی LCDM بسیاری از مشاهدات کیهانی مانند طیفِ توان تابش زمینۀ کیهانی و ساختارهای بزرگ مقیاس را به خوبی توصیف کرده است. اما مشکلاتی نظیر تنش در پارامترهای کیهان‎شناسی، علاوه بر مسائل بنیادی فیزیک ماده وانرژی تاریک باعث شده است که مدل هایی به عنوانِ جایگزین های مدل استاندارد پیشنهاد شوند. یکی ازاین مشاهدات، تنش جریان توده است. در مدل استاندارد انتظار داریم که سرعت خاصه ای که از ساختارها رصد می کنیم با افزایش انتقال به سرخ کاهش یابد، اما در بسیاری از موارد سرعت خاصۀ مشاهده شده رفتارِ کاهشی نداشته اند. در این مقاله، با استفاده از نظریۀ اختلال خطی، جریان توده و پارامتر fsigma_8 را در مدل های جایگزین uLCDM و XCDM به دست آوردیم و آنها را با داده های رصدی مقایسه کردیم. مدل uLCDM جریان تودۀ بیشتتری را پیش بینی می کند ولی نتوانسته مشکل تنش sigma_8 ررا حل کند. از سوی دیگر مدل بازسازی پارامتر هابل ، سرعت تودۀ کمتری را نسبت به مدل استاندارد پیش بینی می کند اما تنش sigma_8 در این مدل بهبود یافته است.

نانوذرات کادمیوم تلوراید با روش تبخیر حرارتی در دمای K 373 و فشار خلأ mPa 7/2 بر روی زیرلایه­ های شیشه لایه­ نشانی شده و لایه­ های نازک با ضخامت حدود nm100 ساخته شدند. لایه­ های تهیه شده درون دستگاه طیف سنجی فرابنفش- مرئی (UV-Vis) قرار گرفتند تا خواص اپتیکی لایه­ های نازک مطالعه شود. به منظور بررسی اثر دمای بازپخت بر خواص اپتیکی لایه ­های نازک کادمیوم تلوراید، این لایه ­ها در دماهای K (323-373) بازپخت شدند. طیف­ های جذب نور از لایه­ ها قبل و بعد از بازپخت ثبت شدۀ طیف سنجی UV-Vis درمحدودۀ طول موج nm 600- 1600 نشان می دهند که میزان جذب نور در لایه ­ها با افزایش دمای بازپخت افزایش یافته است. گاف انرژی اپتیکی لایۀ رشد یافته روند کاهشی را از eV 519/1 پس از بازپخت دارد. نتایج حاصل از نمودار تاک کاهش گاف انرژی با افزایش دمای بازپخت را نشان می­ دهد. ضرایب خاموشی و شکست لایه­ های نازک با افزایش انرژی فوتون و دمای بازپخت افزایش یافتند. تراکم نسبی و قطبش­ پذیری الکترونی لایه­های رشدیافته پس از بازپخت افزایش می­ یابند. سایر پارامترهای اپتیکی به دست آمده در این کار ازجمله قسمت های حقیقی و موهومی ثابت دی­الکتریک با افزایش دمای بازپخت افزایش یافتند درحالی که تابع اتلاف انرژی سطحی و حجمی کاهش یافتند. نتایج این کار نشان می­ دهد لایه­ های رشدیافتۀ کادمیوم تلوراید که در دمای K 373 بازپخت شدند خواص اپتیکی مطلوب تری برای کاربردهای الکترواپتیکی دارند.

در این پژوهش، ما مدلی ارائه می دهیم که در آن با اضافه کردن دو نرده ای یگانه جدید به پتانسیل هیگز و اعمال تقارن مقیاس می توان به حل مسئلۀ سلسله مراتب در مدل ذرات مدل استاندارد پرداخت. در اینجا اعمال تقارن مقیاس یک نقش اساسی را بازی می کند. در حد کلاسیکی تمام نرده ای ها بدون جرم هستند. تنها یکی از نرده ای های یگانه و نرده ای دوگانۀ هیگز مقدار انتظاری غیر صفر می گیرند. بعد از قطری کردن ماتریس جرم، یک نرده ای بدون جرم معروف به اسکالون و دو نرده ای جرم دار در طیف داریم. با اعمال اثرات کوانتمی، اسکالون یک جرم تصحیحی پیدا می کند. علاوه بر قیدهای نظری که روی پارامترهای مدل اعمال می شود، ما قیدهای مربوط به دو آشکار ساز ATLAS و CMS در برخوردهندۀ LHC را که روی جفت شدگی برهم کنش سه گانۀ هیگز اعمال می شود لحاظ می کنیم.

با وجود تحولات باورنکردنی در روش­های پیشرفتۀ مشخصه­یابی مواد، این شاخۀ تحقیقاتی با چالش­های علمی و فنی متعددی روبرو است. بیناب­نمایی عدسی گرمایی به­عنوان یک روش حساس و غیرمخرب بر پایۀ نورشناخت جهت تعیین ویژگی­های نورگرمایی مواد و همچنین تشخیص ناخالصی­ها در محلولات به­شمار می­رود. در این تحقیق با استفاده از روش بیناب­نمایی عدسی گرمایی به بررسی ضریب پخش گرمایی لایه های فوق نازک نقره، تهیه شده به­روش کندوپاش مغناطیسی، می­پردازیم. برای این منظور مدل نظری شن بر سیگنال تجربی به­دست آمده برازش داده شده و به دنبال آن ضریب پخش گرمایی نمونه استخراج می­شود. نتایج به دست آمده به ­وضوح نشان می­دهند در محدودۀ ضخامتی مورد بررسی (nm15>)، ضریب پخش گرمایی با افزایش ضخامت افزایش می یابد. علاوه بر آن یافته­های ما مؤید این موضوع هستند که در ناحیۀ ضخامت بسیار نازک، ضریب پخش گرمایی به­دست آمده وابستگی ضعیفی به تغییر ضخامت لایۀ نقره دارد. این موضوع را می توان با رفتار دو بعدی پخش گرما در نانو لایه های فوق نازک فلزی توضیح داد.