در این پژوهش، عیوب شبکه بلوری نانوالکتروسرامیک BaTiO3 آلاییده شده، با مقادیر متفاوتی از عنصر پنج ظرفیتی Nb با طیفسنج پوزیترونی بررسی گردید. کاهش طیف پس زمینه ناشی از یک سامانه تشخیص همزمانی در طیف سنجی پهن شدگی داپلری امکان بررسی سهم الکترون های مغزی با تکانه بالا را در فرایند نابودی پوزیترون در ساختار BT(1-x)O: Nbx (x=0, 0. 03, 0. 05, 0. 07) را فراهم میآورد. نتایج نشان میدهد که نخست با افزایش ورود ناخالصی تا 05/0 درصد مولی، بدلیل جانشینی Nb با Ti از شدت نقص ها به ویژه نقص حجم باز کاسته شده و با افزایش بیشتر غلظت ناخالصی بر مقدار نقص تهیجا افزوده میشود.