نانو مقیاس
سال:1395 | دوره:3 | شماره:2 |تعداد مقالات:8

 ساخت آسان و زیست سازگار نقاط کوانتومی با بازدهی بالا، بسیار اهمیت دارد و تاکنون به طور کامل اجرا نشده است. اصلاح سطح نقاط کوانتومی نقش کلیدی در بهبود بازدهی شان دارد.در این تحقیق، نقاط کوانتومی کادمیم تلوراید و هسته-پوسته کادمیم تلوراید-کادمی مسوولفید در محیط آبی ساخته شدند. بازدهی نورتابی نقاط کوانتومی کادمی متلوراید به سرعت رشدپوسته کادمی مسوولفید بسیار وابسته است. بنابراین، متغیرهای مختلف موثر بر سرعت رشد پوسته کادمیم سولفید، مانند زمان واکنش، pH محلول، دمای رشد، نسبت مولی کادمیم به سولفورو منبع سولفور به صورت سیستمی بررسی شد. از طیف سنج فلورسانس، جذب، پراش اشعه ایکس و میکروسکوپ الکترونی عبوری به منظور مشخصه یابی آنها استفاده شد. نقاط کوانتومیهسته-پوسته کادمیم تلوراید-کادمی مسوولفاید با بازدهی نورتابی بالا و با گسیل قابل تنظیم در گستره 557 تا 607 نانومتر ساخته شدند. با رشد پوسته کادمی مسوولفاید بر رویسطح نقاط کوانتومی، بازدهی نورتابی به میزان قابل توجهی افزایش یافته است. بنابراین نقاط کوانتومی ساخته شده، قابلیت تجاری شدن را دارند. 

در این پژوهش نان و ذرات (x=0, 0.03, 0.10, 0.15)Bi1-xLa0.15OxFeO3، با استفاده از اسید تارتاریک به روش سل-ژل تهیه شدند.این مواد دارای شبکه پروسکایت (ABO3) می باشند. در شبکه پروسکایت، برخی اعوجاج ها می تواند زاویه  B-O-Bرا تغییر دهد و بنابراین بر ویژگی های مغناطیسی و الکتریکی این شبکه اثر بگذارد. بررس یهای ساختاری الگوی پراش پرتو ایکس توسط نرم افزار FuIIPRUF برای نمونه های x=0.1 و x=0.15 صورت گرفت و تغییر ساختار را از لوزی رخ (رمبوهدرال) به شبه مکعبی (ارتورمبیک) نشان داد. نتایج آنالیز VSM گرفته شده از تمام نمونه ها بیان داشت که با افزایش درصد آلاییدگی، مغناطش پسماند و مغناطش ماکزیمم نمونه ها کاهش می یابد.

 در این مقاله ارتعاشات غیرخطی ورقه کامپوزیتی تقویت شده با نانولوله کربنی مورد بررسی قرار گرفته است. معادلات حرکت ارتعاشی را به روش مقیاس های چندگانه حل می کنیم. برای ارتعاشات آزاد ورقه، فرکانس طبیعی غیرخطی بدست آمد. ضمنا اثرات ضریب میرایی یا ویسکوزیته ماده، کسر حجمی نانولوله کربنی و همچنین نسبت ضخامت به بعد صفحه در فرکانس طبیعی مورد بررسی قرار گرفت و مشاهده شد که افزایش نسبت ضخامت صفحه به طول آن، باعث افزایش فرکانس طبیعی غیرخطی صفحه می گردد و همچنین کاهش نسبت ضخامت به طول صفحه باعث کاهش در نرخ کاهش دامنه می گردد.

در این مطالعه نانوذرات گارنت ایتریوم آهن با فرمول شیمیایی Y3Fe5O12 تحت شرایط محیط و اتمسفر نیتروژن به روش میکروامولسیون تهیه شدند و جهت بررسی دمایی در گستره دمایی 700oC تا1100oC  گرمادهی شدند. ویژگی های ساختاری و مغناطیسی توسط XRD،Far-FTIR ،TEM  و VSM مورد بررسی قرار گرفتند. تحلیل پراش پرتو ایکس XRD، نشان می دهد که نمونه های تهیه شده در دمای 800oC و 900oC تک فاز شده اند. میانگین اندازه بلورک های تحت دو اتمسفر محیط و نیتروژن در بازه 11 تا 29 نانومتر برآورد شد. بیناب سنج فروسرخ دور Far-FTIR پیوند اصلی 1u در گستره 550-650cm-1 مربوط به ارتعاشات کششی در جایگاه چهاروجهی و پیوند در گستره   300-400cm-1 را مربوط به جایگاه های هشت وجهی نشان می دهد. تصویر میکروسکوپ الکترونی عبوری TEM توزیع یکنواخت اندازه ذرات را نشان می دهد. ویژگی های مغناطیسی نمونه ها با استفاده از مغناطیس سنج ارتعاشی VSM مورد بررسی قرار گرفت. این آنالیز نشان داد که مغناطش اشباع نمونه ها نخست تا دمای 900oC افزایش و سپس کاهش یافت. این تغییرات به افزایش اثر فازهای جانبی و کمبود اکسیژن در دماهای بالاتر نسبت داده شد.

در این پژوهش، نانو ذرات کروم اکسید (Cr2O3) توسط روش تخریب گرمایی پیش ماده Cr (acac)3 (استیل استونات (acac= تهیه شد. پیش از تخریب گرمایی، ابتدا Cr (acac)3 در حلال اتانول با پل یاتیلن-گلیکول (PEG) مخلوط و سپس حلال توسط گرم کردن ملایم تبخیر شد. مخلوط جامد به دست آمده در اثر تخریب گرمایی در دمای 450oC به مدت 2 ساعت به نانوذرات Cr2O3 تبدیل شد. محصول حاصل توسط تکنیک های پراش پرتو ایکس پودر (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) و طیف بینی زیر قرمز تبدیل فوریه (FT-IR) شناسایی شد. الگوی XRD خلوص و بلورینگی بالای نانوذرات Cr2O3 با فاز بلوری رومبوهدرال را تایید کرد. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی و میکروسکوپ الکترونی عبوری نانوذرات دارای اندازه 20-30nm را نشان داد. اندازه گیری های طیف سنجی جذبی UV-Vis شکاف نواری برابر با 4.5eV را برای نانوذرات Cr2O3 نشان داد. همچنین مکانیسم رشد قابل قبولی نیز پیشنهاد داده شد.

 با بکار بردن روش تابع گرین غیر تعادلی، خواص ترابرد الکترونی وابسته به اسپین در نانو نوار زیگزاگ سیلیسین بررسی شده است. در غیاب میدان تبادلی، رسانش الکتریکی می تواند بوسیله میدان الکتریکی ناهمگن تنظیم شود. نانو نوار سیلیسین در این حالت به عنوان یک ترانزیستور اثر میدانی چند دیجیتاله عمل می کند. با قرار دادن زیر لایه فرومغناطیس در نانو نوار سیلیسین در آن میدان های تبادلی القاء می شود. علاوه برآن، ما یک میدان الکتریکی ناهمگن با بکاربردن میدان های الکتریکی خارجی بطور مستقل بر روی هر دو لبه نانو نوار سیلیسین برای دستکاری خواص رسانش الکترونی وابسته به اسپین بکار می بریم. ما دریافتیم که قطبش اسپینی کامل می تواند در حضور میدان الکتریکی ناهمگن و میدان تبادلی اتفاق بیفتد و نانو نوار می تواند به عنوان اسپین فیلتر کامل عمل کند. راستای اسپین الکترون های عبوری می تواند به آسانی بوسیله معکوس کردن راستای میدان الکتریکی در لبه های نانو نوار تغییر داده شود. همچنین در این مورد، راستای قطبش اسپینی م یتواند با تغییر دادن انرژی فرمی الکترون تنظیم شود.

در این مقاله، اثر پیکربندی انحنای یاخته واحد نسبت به صفحه دو بعدی روی تابع دی الکتریک در سیلیسین بررسی شده است. رفتار طیف جذبی و پاشندگی ضریب شکست با استفاده از روش ﻧﻈﺮیه ﺗﺎبعی ﭼﮕﺎلی برحسب انرژی فوتون تابشی برای انحناء های مختلف نمایش داده شده است. نتایج نشان می دهند که، برای طول پیوند ثابت، با افزایش زاویه انحنای یاخته واحد از صفحه، جذب و ضریب شکست افزایش می یابد. بعلاوه، قله های جذب و ضریب شکست به سمت طول موجهای بلندتر جابه جا می شود. در این راستا، رفتارطیف جذبی و پاشندگی ضریب شکست اپتیکی به ازاء انحناء های مختلف رسم شده اند. کاهش گاف انرژی با افزایش انحناء ی یاخته واحد دلیل فیزیکی رفتارهای فوق است.

در این پژوهش، نانوهرم های ZnO با سنتز کلوئیدی ساخته شدند. اسید اولئیک به عنوان لیگاند به منظور پایدارسازی و عاملی بر شکل هرمی نانوذرات مورد استفاده قرار گرفت. نتایج نشان دادند که افزایش زمان واکنش باعث پراکندگی بیشتر در تابع توزیع اندازه و دورتر شدن از شکل هرمی نانوذرات میشود. نتایج XRD و TEM تشکیل نانوهرم بلوری هگزاگونال ورتزایت با اندازه متوسط10nm  و یکنواختی مناسب در توزیع اندازه را نشان دادند. به منظور جلوگیری از اثر نامطلوب لیگاند بر تغییر خواص لایه متشکل از نانوذرات ZnO تشکیل شده بروش لایه نشانی چرخشی بر روی زیرلایه ی سلول خورشیدی از عمل بازپخت برای خارج سازی لیگاند استفاده شد. نتایج TGA نشان داد که دمای حدود 400oC مناسب بوده و تغییر محیط بازپخت از N2 به O2 تفاوت خاصی ایجاد نمیکند. نتایج SEM و طیف عبوری نشان دادند که برای ضخامت لایه حدود 100nm، شفافیت مناسب است.