لایه انتقال دهنده الکترون ETL، نقش اساسی درکارایی سلول خورشیدی ایفا می کند. درسال های اخیر In2S3 به عنوان ETL درسلول های خورشیدی لایه نازک CZTS, Se, CIGS, Se و پروسکایتی موردتوجه بوده است. لذا در این پژوهش از روش ارزان اسپری گرماکافت به منظور ساخت لایه های In2S3 استفاده گردیده است. سپس تاثیر دما و نوع نمک ایندیوم بر ویژگی های الکتریکی، نوری، ساختاری و مورفولوژی لایه های In2S3 اسپری شده بررسی شده است. برای این منظورازطیف سنجی های شناسایی شامل پراش اشعه ایکس XRD، میکروسکوپ الکترونی گسیل میدانی FESEM با قابلیت آنالیزعنصری EDS، طیف سنجی عبوری UV-Vis، آنالیز الکتروشیمیایی موت شاتکی و مقاومت سنجی به روش پروب چهارنقطه ای استفاده شده است. بنابرنتایج حاصل، تغییر پیش ماده ایندیوم نمک کلریدی، نیتراتی و استاتی بر بلورینگی و ویژگی های مورفولوژیکی اثرگذار است. لایه های حاصل از نمک استات ایندیوم درمقایسه با دو پیش ماده دیگر بشدت متخلخل هستند. درحالی که بهترین بلورینگی و کمترین مقاومت الکتریکی صفحه ای با پیش ماده کلریدی بدست آمده است. بعلاوه مقدار مقاومت صفحه ای با افزایش دمای لایه نشانی بطورقابل ملاحظه ای کاهش می یابد. اگرچه لایه های In2S3 همگی دارای رسانایی نوع n و گاف انرژی غیرمستقیم eV2 ~هستند اما سطوح انرژی ساختار نواری باتغییرپیش ماده ایندیم تغییر می کند. ازطرفی، چگالی حامل های اکثریت الکترون نیز از cm-3 1017 × 1/ 2 تا cm-3 1019 × 9/2 باتغییردماونوع پیش ماده قابل تغییراست. بیشترین میزان چگالی حامل ها مربوط به لایه های حاصل از پیش ماده استاتی در دمای ° C 420 است.