پژوهش فیزیک ایران
سال:1386 | دوره:7 | شماره:4 |تعداد مقالات:8

ترکیبات بس بطور ابررسانای Y1-2xCaxThxBa2Cu3O7-dو NdBa2-xLaxCU3O7-d به روش استاندارد حالت جامد ساخته شده اند. خواص ترابردی و ابررسانایی آنها با اندازه گیری مقاومت الکتریکی به صورت تابعی از دما و غلظت آلایش CaTh در بازه 0.00£x£0.075 و غلظت آلایش La در بازه 0.00£x£0.30 مطالعه شده است. برای تحلیل داده های تجربی از مدل پدیده شناختی جفت پلارونی استفاده شد. مدل جفت پلارونی داده های تجربی مقاومت الکتریکی را تا نزدیکی دمای بحرانی به خوبی توصیف می کند. نتایج به دست آمده پیشنهاد می کند جایگزیدگی حاملها علت اصلی در از بین رفتن ابررسانایی در ابررساناهای کوپرات آلاییده با آلایش خنثی از لحاظ الکتریکی و یکی از عوامل اصلی در ابررسانای آلاییده شده پایه Nd با La، علاوه بر پرکردن حفره ها، است.

با انجام شبیه سازیهای مفصل عددی، بعد فرکتالی جرم و نیز میزان ناهمسانگردی در شکل خوشه گسترش یافته در نمونه در فرآیندهای پرکولاسیون تهاجمی جایگاهی دوبعدی محاسبه شده اند. نتایج به دست آمده در مورد بعد فرکتالی جرم که در توافق با آخرین نتایج اعلام شده هستند، نشان می دهند که دو فرآیند پرکولاسیون تهاجمی با و بدون قانون به دام اندازی به دو دسته متفاوت از نظر خاصیت جهانشمولی، تعلق دارند. همچنین برای اولین بار میزان ناهمسانگردی در خوشه گسترش یافته در نمونه محاسبه شده است. مشاهده می شود که علی رغم همسانگردی محیط، خوشه های حاصل از فرآیند پرکولاسیون تهاجمی همسانگرد نیستند. میزان ناهمسانگردی برای خوشه های فرآیند پرکولاسیون تهاجمی با قانون به دام اندازی بیشتر است. به علاوه، تفاوتهای این دو نوع فرآیند بر اساس تابع توزیع اندازه حفره های اشغال شده بررسی شده اند.

در این مقاله اثر افزایش تخلخل و تغییرات میکروساختاری سطحی بر روی خواص اپتیکی و دی الکتریکی سیلیکان متخلخل بررسی شده است. تخلخل به عنوان یک ناهمواری سطحی در ابعاد میکرونی یا کوچکتر، که اثرات کوانتومی در فرایند جذب و انعکاس از سیلیکان متخلخل را نشان می دهد و نسبت به خواص اپتیکی سیلیکان کپه ای کاملا متفاوت است، در نظر گرفته می شود. ضرایب اپتیکی سیلیکان متخلخل در فرود عمود و در بازه طول موج 200nm£l£3000nm به روش کرامرز - کرونیگ به دست آمده است. تحلیل نتایج تجربی ما نشان می دهد که ساختار الکترونی و ضریب جذب و خواص دی الکتریکی سیلیکان متخلخل در بازه مرئی کاملا با سیلیکان متفاوت بوده و سیلیکان متخلخل در محدوده نور مرئی پاسخ اپتیکی دارد. تفاوت سیلیکان متخلخل با سیلیکان کپه ای برحسب نتایج به دست آمده از روش تقریب محیط موثر (EMA) به خوبی مشاهده می شود و قابل توجیه است. در روش تقریب محیط موثر، تخلخل حاصل در سیلیکان به عنوان یک محیط جدید ناهمگن از میکروساختارهای سیلیکانی همراه با حفره ها در نظر گرفته می شود.

در این تحقیق، سیستم لایه نازک Ag-SiO2 با غلظتهای مختلف نقره (%0.2، %0.4، %1.6 و %8) بر سطح زیر لایه soda-lime ساخته شدند. پس از مرحله پخت نمونه ها، بررسی خواص فیزیکی و شیمیایی لایه های نازک سیلیکا (SiO2) حاوی نانوذرات نقره، توسط اندازه گیهای اپتیکی برای تعیین خواص نوری لایه ها، توپوگرافی و ریزساختار نمونه ها توسط میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)، اندازه گیری دقیق سایز نانوذرات نقره و توزیع آنها در سطح و حجم لایه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) انجام شد. بر اساس تحلیل نتایج به دست آمده از روشهای مذکور، بدون انجام عملیات حرارتی مناسب، نانوذرات نقره در غلظتهای خیلی کم نقره (%0.2) و یا خیلی زیاد آن (%8) تشکیل نمی شوند، بلکه با در نظر گرفتن غلظت اولیه نقره در یک ناحیه میانی این امر صورت می گیرد. در واقع نانوذرات Ag در این غلظتهای حدی در دمای پخت 200oC تشکیل می شود. همچنین بر اساس مشاهدات TEM، حداقل متوسط اندازه ذرات سنتز شده، برای غلظت %0.2 نقره در حدود 4nm تعیین گردید.

از مقاله هایی که در زمینه مکانیک کوانتمی ابرتقارنی نوشته شده است چنین بر می آید که تاکنون برای معادله شرودینگر تعداد معدودی پتانسیل با حلهای دقیق معرفی شده است که برای به دست آوردن توابع موج و انرژی ترازهای مختلف با روش عملگری، اغلب آنها دارای یک پارامتر متغیر و یک پارامتر ثابتند. برخی دو پارامتر ثابت و برخی نیز دو پارامتر متغیر دارند. این پتانسیلها از توابعی که ابر پتانسیل نامیده می شوند به دست می آیند. در این مقاله ما ابتدا از یک ابرپتانسیل کلی با دو پارامتر ثابت و چهار پارامتر متغیر شروع کرده ایم، ولی در محاسبات، عملا ملزم به اعمال قیودی شدیم که حاصل آن سه نوع ابرپتانسیل مختلف با خصوصیات زیر بود: 1- به ازای مقادیر خاصی از پارامترها به تعدادی از ابرپتانسیلهای مشهور قبلی تبدیل می شوند و این نتیجه خود تست مهمی برای اطمینان از صحت آنهاست. 2- به این لحاظ که تاکنون چنین ابرپتانسیلهایی که هر یک مولد برخی از ابرپتانسیلهای قبلی باشند معرفی نشده جدیداند. 3- همچنین این ادعا که غیر از سه ابرپتانسیل کولن، نوسانگر سه بعدی و نوسانگر انتقال یافته، بقیه ابرپتانسیلهای شناخته شده قبلی زیر مجموعه هایی از این سه ابرپتانسیل هستند هم ادعای جدیدی است. 4- از هر یک از سه دسته ابرپتانسیل فوق، پتانسیلهایی ایجاد می شود که انرژیهای کلاین گوردان آنها دارای فواصل مساوی است، ولی قیدی که برای این منظور اعمال می کنیم سبب کاهش پارامترهای متغیر می شود.

در این مقاله سعی بر آن است که ضمن مطالعه نقش نیتروژن در فرآیندهای اپتیکی نیمه رسانای InGaNAs، روشهای بهبود بازده اپتیکی نانوساختارهای این نیمرسانا را به منظور به کارگیری آن در ساختمان دیودهای لیزری ناحیه IR تشریح کنیم و نشان دهیم که چگونه با وارد کردن نیتروژن به ساختار InGaNAs طول موج گسیلی آن به ناحیه مطلوب منتقل می شود و چگونه ضمن رسیدن به طول موج مناسب می توان بهره اپتیکی را بهبود بخشید. تغییرات ایجاد شده در ساختار نواری به دلیل حضور نیتروژن با استفاده از مدل دافعه نوری قابل بررسی است و ایجاد این تغییرات در نتیجه دافعه بین تراز جایگزیده ناشی از نیتروژن و لبه نوار رسانش ماده میزبان (InGaNAs) است. بر اساس مدل فوق، در نتیجه حضور نیتروژن گاف نواری نیمرسانا کاهش می یابد و بدین ترتیب طول موج نور گسیلی از نمونه به منظور دستیابی به طول موجهای ناحیه مادون قرمز نیز قابل کنترل است. همچنین حضور نیتروژن از یک طرف باعث ایجاد افت و خیزهای پتانسیل در ساختار نواری نیمرسانا می گردد که به عنوان مراکز تله عمل نموده و باعث جایگزیدگی اکسیتونها می شوند که در نتیجه آن احتمال بازترکیب اکسیتونی افزایش یافته و راندمان نوری بهبود می یابد، ولی از طرف دیگر حضور نیتروژن موجب ناهمواریهایی به ویژه در سطح مشترک چاه و سد در ساختارهای کوانتومی می شود که این ناهمواریها به عنوان مراکز بازترکیب غیرنوری عمل می کنند.

واکنش شکافت اورانیم 238 با پروتونهای 45-69 MeV در مرکز سیکلوترون و رادیوایزوتوپ دانشگاه توهوکوی ژاپن انجام شد. محصولات شکافت حاصل از این واکنش با روش طیف نگاری پرتوهای گاما شناسایی شدند. داده های تجربی نشان می دهند که توزیع بار الکتریکی محصولات شکافت با عدد جرمی یکسان (ایزوبار) از یک تابع گاوسی با انحراف استاندارد ثابت پیروی می کند و بستگی به عدد جرمی ایزوبار انتخاب شده ندارد. این انحراف استاندارد در واکنش 238U(p,f) با پروتونهای 45، 55، 65 و 69MeV اندازه گیری شده است. برای شکافت با پروتونهای 45 MeV، این کمیت با مقدار ارایه شده در آزمایشهای دیگر به خوبی سازگار است و با پیش بینی مدل هاوزر - فشبک نیز مطابقت دارد. برای انرژیهای دیگر نیز اندازه گیری این انحراف استاندارد تاکنون در مقاله ها گزارش نشده است. نتایج نشان می دهند که با افزایش انرژی برانگیختگی هسته شکافنده، توزیع بار الکتریکی محصولات شکافت ایزوبار پهن تر می شود. در این آزمایش، محتمل ترین بار الکتریکی محصولات شکافت ایزوبار نیز به دست آمد. این نتایج با پیش بینی مدل «انرژی پتانسیل کمینه (MPE)» سازگاری خوبی دارد. به علاوه، داده های تجربی، قطبش بار الکتریکی را نیز در فرایند شکافت هسته ای نشان می دهند.

در این مقاله، اثر اندازه ذرات پودرهای اولیه در خواص سیم ابررسانای Bi-2223/Ag مورد بررسی قرار گرفته است. در ابتدا نمونه ها به روش واکنش حالت جامد تهیه شدند. پودرهای اولیه بعد از مرحله کلوخه سازی در مدت زمانهای متفاوتی آسیاب شدند و تشکیل فاز در آنها بررسی شد. سپس توسط این پودرها، سیمهای مورد نظر با روش پودر در لوله، ساخته شدند. این بررسی با مطالعه نتایج حاصل از پراش اشعه ایکس (XRD) ریخت شناسی میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)، آنالیز کننده لیزری اندازه ذرات (LPSA)، اندازه گیری پذیرفتاری مغناطیسی، اندازه گیری مقاومت ویژه الکتریکی و چگالی جریان بحرانی نمونه ها صورت گرفته است. نتایج نشان می دهد با کاهش اندازه دانه ها، تشکیل فاز بهتر صورت می گیرد و چگالی جریان بحرانی سیم ابررسانای Bi-2223/Ag افزایش می یابد.