مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

57
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

15
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی رشد ترک در دو ساختار لایه نشانی شده و ایده آل تیتانیوم/تیتانیوم نیترید با استفاده از شبیه سازی دینامیک مولکولی

صفحات

 صفحه شروع 833 | صفحه پایان 850

چکیده

 وجود عیوب و تنش های پسماند سبب تضعیف مقاومت پوشش‎های چندلایه در مقابل رشد ترک می شود. برای بررسی این موضوع رشد ترک در دو ساختار لایه نشانی شده و ایده آل تیتانیوم/تیتانیوم نیترید با استفاده از شبیه سازی دینامیک مولکولی بررسی شده است. برای این منظور ابتدا لایه نشانی تیتانیوم نیترید بر روی بستر تیتانیوم انجام گرفته, سپس رشد ترک در دو ساختار مذکور بررسی گردیده است. رشد لایه تیتانیوم نیترید بر روی تیتانیوم جزیره ای بوده و ساختار لایه نشانی شده دارای عیوب و تنش پسماند می باشد. نتایج نشان می دهد که هر دو تنش پسماند دومحوری و نرمال, در بستر و پوشش به ترتیب کششی و فشاری می باشد. با استفاده از تغییر انرژی در لایه ها انرژی چسبندگی فصل مشترک محاسبه شده است که برابر 166 کیلوژول بر مول می باشد. در قسمت دوم با جایگذاری ترکی به طول 15 آنگستروم در لایه سرامیک در دو ساختار ایده آل و لایه نشانی شده رفتار رشد ترک بررسی شده است. نتایج نشان می دهد به دلیل ترد بودن لایه سرامیک, در هر دو حالت ذکر شده ترک تا فصل مشترک لایه ها رشد می کند. در ادامه تغییرشکل پلاستیک لایه تیتانیوم و همچنین ساختار فصل مشترک بین دو لایه مانع از رشد ترک و شکست کامل می گردد. همچنین تنش بحرانی لازم برای رشد ترک در ساختار منظم 5/2 برابر مقدار آن در ساختار لایه نشانی شده است که دلیل آن وجود عیوب و تنش پسماند در ساختار لایه نشانی شده می باشد.

چندرسانه ای

  • ثبت نشده است.

    • استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.

    • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button