مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

58
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

12
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی دوپایداری میکروصفحات پیزوالکتریک تحت فشار بر مبنای تئوری تنش کوپل بهبودیافته

صفحات

 صفحه شروع 357 | صفحه پایان 376

چکیده

 اخیراً ثابت شده است علاوه بر ریزسازه های دارای خمیدگی اولیه, میکرو ورق های مسطح تحت فشار نیز می توانند ناپایداری واجهش را تجربه کنند. با توجه به کاربرد های بالقوه ی این میکروصفحات در طراحی سنسور های فوق حساس, هدف این مقاله بررسی رفتار دوپایدار چنین سازه هایی هنگام ترکیب آن ها با یک لایه ی پیزوالکتریک است. بدین منظور از تئوری تنش کوپل بهبود یافته به همراه مدل صفحه ی غیرخطی کیرشهف استفاده می شود. با استفاده از روش گالرکین, معادلات کاهیده شده تعادل و پایداری حاصل می گردند. سپس با حل همزمان این معادلات, نقاط بحرانی مسیر تعادل میکرو ورق تعیین می گردند. یافته های حاضر با نتایج موجود در منابع مقایسه و تأیید می شوند. در ادامه تأثیر تحریک پیزوالکتریک بر پاسخ دوپایدار سیستم بررسی می گردد. نتایج نشان می دهند شکل مسیر تعادل و همچنین تعداد و موقعیت نقاط بحرانی آن با اعمال ولتاژ پیزوالکتریک شدیداً تحت تأثیر قرار می گیرند. مقاله حاضر برخلاف مطالعات پیشین نشان می دهد, اعمال ولتاژ پیزوالکتریک مثبت همواره باعث کاهش آستانه ی ناپایداری کشیدگی سیستم نمی شود و گاهی اوقات تحت تحریک مقادیر بزرگ فشار دیفرانسیلی, می تواند باعث افزایش آن گردد. همچنین نتایج حاکی از آنند که با اعمال ولتاژ پیزوالکتریک مثبت, ناحیه ی واجهش منبسط و با اعمال مقادیر منفی, این ناحیه منقبض می گردد. نتایج حاضر می تواند برای مهندسان صنعت سیستم های میکروالکترومکانیکی بسیار مفید باشد.

چندرسانه ای

  • ثبت نشده است.

    • استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.

    • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button