مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

1,290
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

707
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

طراحی یک تقویت کننده توان فرکانس رادیویی یکپارچه باند X مبتنی بر فنّاوری AlGaN/GaN HEMT

صفحات

 صفحه شروع 37 | صفحه پایان 45

چکیده

 در این مقاله یک تقویت کننده توان باند x مبتنی بر فناوری مدار مجتمع یکپارچه مایکروویو برای زیرسامانه های مخابراتی ماهواره های سنجشی طراحی, شبیه سازی و نهایتا جانمایی شده است. جهت تحقق طرح, از پروسه ترانزیستورهای گالیم نیترید با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری حداقل طول گیت 500 نانومتر استفاده شده است. ولتاژ تغذیه درین در این فناوری 40 ولت و ولتاژ تغذیه گیت 2-ولت می باشد. با توجه به اهمیت بهره وری در زیرسامانه های مخابرات فضایی, برای معماری مداری تقویت کننده پیشنهادی, از دوطبقه در کلاس E استفاده شده است. بهره توان تقویت کننده حدود dB 25 و حداکثر توان خروجی آن dBm 49. 3 در فرکانس 10 گیگاهرتز با در نظر گرفتن پهنای باند 2 مگاهرتز و بهره وری 49% حاصل شده است. برای کاهش اثر حافظه یک فیلتر میان گذر در خروجی تقویت کننده طراحی شده است. مساحت نهایی اشغالی در سطح تراشه برای جانمایی به ابعاد 4. 3×8. 2 میلی متر حدود mm235 به دست آمده است, که فضای عمده جانمایی متعلق به فیلترمحدودکننده طیف توان خروجی می باشد. مقدار AM/PM و AM/AM در بدترین شرایط به ترتیب حدود deg/dB3. 8-و dB/dB1 حاصل شده است. تقویت کننده دارای پایداری نامشروط در محدوده فرکانسی مطلوب بوده و مقدار تداخل تخریبی هارمونیک سوم نسبت به هارمونیک اول حدود dBc 21-به دست آمده است.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    علی پرست، پیمان، و فرهادی، احد. (1398). طراحی یک تقویت کننده توان فرکانس رادیویی یکپارچه باند X مبتنی بر فنّاوری AlGaN/GaN HEMT. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)، 16(2 )، 37-45. SID. https://sid.ir/paper/115637/fa

    Vancouver: کپی

    علی پرست پیمان، فرهادی احد. طراحی یک تقویت کننده توان فرکانس رادیویی یکپارچه باند X مبتنی بر فنّاوری AlGaN/GaN HEMT. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)[Internet]. 1398؛16(2 ):37-45. Available from: https://sid.ir/paper/115637/fa

    IEEE: کپی

    پیمان علی پرست، و احد فرهادی، “طراحی یک تقویت کننده توان فرکانس رادیویی یکپارچه باند X مبتنی بر فنّاوری AlGaN/GaN HEMT،” نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)، vol. 16، no. 2 ، pp. 37–45، 1398، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/115637/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button