مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

740
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

715
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

طراحی و ساخت الکترود نانوساختار SnO2/Ag/MoO3 به منظور استفاده در وسایل اپتوالکترونیک

صفحات

 صفحه شروع 87 | صفحه پایان 96

چکیده

 در این مقاله, سیستم چند لایه ای نانوساختار رسانای شفاف SnO2/Ag/MoO3 (SAM) طراحی و شبیه سازی شده و ضخامت بهینه هر یک از لایه ها به گونه ای محاسبه شد که بطور همزمان تراگسیل اپتیکی بالا و مقاومت الکتریکی پایین داشته باشیم. پوشش های نانوساختار SAM با استفاده از روش لایه نشانی تبخیر حرارتی بر روی بستره های شیشه ای انباشت شدند و سپس در هوا در دمای 150 درجه سلسیوس به مدت 1 ساعت بازپخت شدند. برخی خواص الکتریکی, اپتیکی و ساختاری این سیستم چند لایه ای از قبیل مقاومت الکتریکی سطحی, تراگسیل اپتیکی, بازتاب و ناهمواری های سطحی اندازه گیری شدند. سیستم چندلایه ای SAM دارای مقاومت الکتریکی سطحی پایین 12.5 (W/ð) و تراگسیل در ناحیه مرئی %90 هستند. با استفاده از تحلیل خطوط پراش پرتوهای X, اندازه نانوبلورک های SnO2 و Ag به ترتیب (1) 27 و (5) 19 نانومتر تخمین زده شد. مقاومت الکتریکی پایین و تراگسیل بالا استفاده از این لایه ها را به عنوان الکترود رسانای شفاف در کاربردهای اپتوالکترونیک مقدور می سازد. نتایج نشان می دهد که سلول های فتوولتاییک ساخته شده بر روی سیستم چند لایه ای SAM بازده تبدیل توان بالاتری نسبت به سلول های ساخته شده بر روی لایه های تجاری مرسوم ITO از خود نشان می دهند.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    قاسمی ورنامخواستی، محسن، شهریاری، اسماعیل، و سلیمانیان، ویشتاسب. (1395). طراحی و ساخت الکترود نانوساختار SnO2/Ag/MoO3 به منظور استفاده در وسایل اپتوالکترونیک. علوم و مهندسی سطح، 12(30)، 87-96. SID. https://sid.ir/paper/121045/fa

    Vancouver: کپی

    قاسمی ورنامخواستی محسن، شهریاری اسماعیل، سلیمانیان ویشتاسب. طراحی و ساخت الکترود نانوساختار SnO2/Ag/MoO3 به منظور استفاده در وسایل اپتوالکترونیک. علوم و مهندسی سطح[Internet]. 1395؛12(30):87-96. Available from: https://sid.ir/paper/121045/fa

    IEEE: کپی

    محسن قاسمی ورنامخواستی، اسماعیل شهریاری، و ویشتاسب سلیمانیان، “طراحی و ساخت الکترود نانوساختار SnO2/Ag/MoO3 به منظور استفاده در وسایل اپتوالکترونیک،” علوم و مهندسی سطح، vol. 12، no. 30، pp. 87–96، 1395، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/121045/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button