مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

9
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

حافظۀ دسترسی تصادفی پویای جاسازی شده بر مبنای سلول بهره 5 ترانزیستوری، به صورت کم توان و با زمان نگهداری بالا در فناوری های فین فت کمتر از 22 نانومتر

صفحات

 صفحه شروع 89 | صفحه پایان 100

چکیده

 1در این مقاله, یک سلول GC-eDRAM 5 ترانزیستوری در فناوری فین فت ارائه می گردد. این حافظه, با به کارگیری هر دو نوع ترانزیستورهای نوع p و نوع n برای حذف اثر کوپلاژ خازنی, استفاده ترکیبی از ولتاژهای آستانه و نیز بهره گیری از اثر پشته جهت بهبود مصرف توان ایستا, طراحی شده است. به منظور دستیابی به زمان نگهداری بالا, از ترانزیستورهای کم توان در مسیر خرابی داده به صورت سری استفاده شده تا جریان نشتی عبوری از این مسیر به دلیل اثر پشته, کاهش یافته و مصرف توان ایستا کم شود. در نتیجه خرابی کندترِ داده های یک و صفر, زمان نگهداری داده بهبود یافته و بنابراین فرکانس نوسازی, توان نوسازی و توان نگهداری کاهش خواهد یافت. سلول پیشنهادی دارای ساختار نوین بوده و دارای بالاترین زمان نگهداری داده و کمترین توان ایستا و توان نگهداری در بین ساختارهای GC-eDRAM مشابه است؛ از این رو همزمان در طبقه بندی های فوق توان پایین و پرسرعت قرار دارد. سلول پیشنهادی در تمام ابعاد کمتر از 22 نانومتر و با استفاده از نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است و در گرۀ فناوری 20 نانومتر, نسبت به سلول 4 ترانزیستوری, در فناوری 28 نانومتر FD-SOI, 195برابر زمان نگهداری, 80% کاهش مصرف توان ایستا و 48% کاهش مساحت را نشان می دهد.

چندرسانه ای

  • ثبت نشده است.

    • استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.

    • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button