APA:
کپیرضوی، سیدمحمد، ظهیری، سیدحمید، و حسینی، سیدابراهیم. (1396). بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با واردکردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق، 15(3)، 217-222. SID. https://sid.ir/paper/228081/fa
Vancouver:
کپیرضوی سیدمحمد، ظهیری سیدحمید، حسینی سیدابراهیم. بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با واردکردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق[Internet]. 1396؛15(3):217-222. Available from: https://sid.ir/paper/228081/fa
IEEE:
کپیسیدمحمد رضوی، سیدحمید ظهیری، و سیدابراهیم حسینی، “بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با واردکردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین،” مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق، vol. 15، no. 3، pp. 217–222، 1396، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/228081/fa