مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

546
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

719
Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

ایجاد دو لایه Cu2O-CuO به عنوان فتوکاتد و بررسی خواص فتوالکتروشیمیایی آن

صفحات

 صفحه شروع 2310 | صفحه پایان 2318

چکیده

 تولید هیدروژن بوسیله تجزیه آب تحت نور خورشید با استفاده از نیمه هادی ها یک روش امیدوار کننده برای تولید یک انرژی پاک و تجدید پذیر می باشد. Cu2O یک نیمه هادی مثبت می باشد که به واسطه موقعیت نوار هدایت می تواند به عنوان فتوکاتد در تجزیه آب استفاده شود. در این تحقیق Cu2O به روش رسوب دهی الکتروشیمیایی سنتز شد و الگوی پراش اشعه ایکس بیانگر خلوص لایه ی Cu2O می باشد. به منظور ایجاد دو لایه Cu2O-CuO و بهبود خاصیت فتوالکتروشیمیایی, لایه Cu2O در دمای C◦ 450 به مدت 30 دقیقه عملیات حرارتی شد. لایه CuO در اثر اکسیداسیون لایه Cu2O ایجاد گردید. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی بیانگر تغییر میکروساختار بعد از عملیات حرارتی و اندازه دانه های نانومتری می باشد. مقدار جریان تحت نور با استفاده از روش پتانسیل روبشی خطی تحت قطع و وصل نور اندازه گیری شد که نتایج حاکی از افزایش جریان تحت نور با عملیات حرارتی در دمای C◦ 450 به مقدار µ A. cm-2731 می باشد. طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی تحت ولتاژ ثابت و فرکانس هایHz 105-1/0 و همچنین در فرکانس ثابت و ولتاژ V5/0 تا 3/0-به منظور مطالعه رفتار انتقال بار و تعیین پتانسیل نوار مسطح و چگالی حامل بار انجام گرفت. مقدار چگالی حامل بار برای Cu2O و Cu2O-CuO به ترتیب به مقدار 1018× 3/1 و 1018× 05/3 و مقدار پتانسیل نوار مسطح به ترتیب به مقدار V 19/0 و 23/0 نسبت به مرجع Ag/AgCl بدست آمد.

استنادها

  • ثبت نشده است.

    • ارجاعات

  • ثبت نشده است.

    • استناددهی

    APA: کپی

    حیدری، غلامرضا. (1399). ایجاد دو لایه Cu2O-CuO به عنوان فتوکاتد و بررسی خواص فتوالکتروشیمیایی آن. مواد پیشرفته و پوشش های نوین، 8(32 )، 2310-2318. SID. https://sid.ir/paper/270218/fa

    Vancouver: کپی

    حیدری غلامرضا. ایجاد دو لایه Cu2O-CuO به عنوان فتوکاتد و بررسی خواص فتوالکتروشیمیایی آن. مواد پیشرفته و پوشش های نوین[Internet]. 1399؛8(32 ):2310-2318. Available from: https://sid.ir/paper/270218/fa

    IEEE: کپی

    غلامرضا حیدری، “ایجاد دو لایه Cu2O-CuO به عنوان فتوکاتد و بررسی خواص فتوالکتروشیمیایی آن،” مواد پیشرفته و پوشش های نوین، vol. 8، no. 32 ، pp. 2310–2318، 1399، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/270218/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.

    • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.

    • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا