مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

مقاله مقاله نشریه

مشخصات مقاله

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

520
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

515
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بهبود عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی در حضور ناهمپوشانی

صفحات

 صفحه شروع 215 | صفحه پایان 224

چکیده

 یکی از موارد مهم در فرآیند ساخت افزاره ها در مقیاس نانومتر, آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین-سورس است. در این مقاله برای اولین بار اثر آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین-سورس برای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی بررسی شده است. برای مطالعه و شبیه سازی مشخصات الکتریکی افزاره از حل خودسازگار معادله های پواسون-شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. عملکرد افزاره برحسب جریان حالت روشن, جریان حالت خاموش, نسبت جریان, نوسان زیر آستانه, زمان تاخیر وحاصل ضرب توان در تاخیر ارزیابی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که اثر آندرلپ بعضی مشخصه های افزاره را بهبود می بخشد و روی برخی مشخصه ها همانند جریان اشباع اثر نامطلوب دارد. بررسی های انجام شده نشان می دهد که آندرلپ جریان حالت خاموش را به طور قابل توجهی کاهش می دهد و در نتیجه موجب کاهش تونل زنی باند به باند و رفتار آمبای پلار افزاره می گردد. هم چنین وجود آندرلپ باعث بهبود پارامتر حاصل ضرب توان در تاخیر در مقایسه با ساختار پایه می شود. اگرچه آندرلپ عمدتا بصورت ناخواسته در فرآیند ساخت ایجاد می شود اما با ایجاد تعمدی آن نیز می توان از مزایای مذکور استفاده نمود. لذا سازنده می تواند با ایجاد آندرلپ و انتخاب بهینه طول آن, عملکرد افزاره را در برخی پارامترهای مهم به طور قابل ملاحظه ای بهبود دهد.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    نادری، علی، و قدرتی، مریم. (1398). بهبود عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی در حضور ناهمپوشانی. مدل سازی در مهندسی، 17(59 )، 215-224. SID. https://sid.ir/paper/386743/fa

    Vancouver: کپی

    نادری علی، قدرتی مریم. بهبود عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی در حضور ناهمپوشانی. مدل سازی در مهندسی[Internet]. 1398؛17(59 ):215-224. Available from: https://sid.ir/paper/386743/fa

    IEEE: کپی

    علی نادری، و مریم قدرتی، “بهبود عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی در حضور ناهمپوشانی،” مدل سازی در مهندسی، vol. 17، no. 59 ، pp. 215–224، 1398، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/386743/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button