APA:
کپیخادم حسینی، وحیده، و دیدبان، داریوش. (1399). بررسی تأثیر تعداد اتم های کربن موجود در عرض نوار نانومتری گرافنی بر جریان ترانزیستور تک الکترونی گرافنی. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق، 18(4 )، 263-267. SID. https://sid.ir/paper/404094/fa
Vancouver:
کپیخادم حسینی وحیده، دیدبان داریوش. بررسی تأثیر تعداد اتم های کربن موجود در عرض نوار نانومتری گرافنی بر جریان ترانزیستور تک الکترونی گرافنی. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق[Internet]. 1399؛18(4 ):263-267. Available from: https://sid.ir/paper/404094/fa
IEEE:
کپیوحیده خادم حسینی، و داریوش دیدبان، “بررسی تأثیر تعداد اتم های کربن موجود در عرض نوار نانومتری گرافنی بر جریان ترانزیستور تک الکترونی گرافنی،” مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق، vol. 18، no. 4 ، pp. 263–267، 1399، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/404094/fa