مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

271
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

97
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

ارزیابی کارایی سلول حافظه SRAM مبتنی بر ترانزیستورهای TMDFET در مقایسه با فناوری Si-MOSFET

صفحات

 صفحه شروع 189 | صفحه پایان 198

کلیدواژه

ترانزیستور دی کلکوژناید فلزات واسطه (TMDFET)Q1
ولتاژ و دما (PTV)Q1

چکیده

 ترانزیستورهای دی کلکوژناید فلزات واسطه (TMDFET) از جمله افزاره های نوظهور هستند که در سال های اخیر مورد توجه محققین قرار گرفته اند. در این مقاله ابتدا اثر تغییر پارامترها, دما و منبع تغذیه بر عملکرد ترانزیستورهای TMDFET در مقایسه با تکنولوژی Si-MOSFET مورد بررسی قرار گرفته است و نتایج بیانگر میزان حساسیت کمتر TMDFET به این تغییرات در مقایسه با افزاره Si-MOSFET است. در ادامه با انتخاب مناسب نسبت های ابعاد ترانزیستورها, به ارزیابی کارایی سلول حافظه دسترسی تصادفی استاتیک شش ترانزیستوری پایه مبتنی بر TMDFET در مقایسه با فناوری Si-MOSFET در تکنولوژی nm 16 پرداخته شده است. شبیه سازی ها در دمای اتاق, ولتاژ تغذیه 7/0 ولت و شرایط یکسان برای هر دو افزاره TMDFET و Si-MOSFET در نظر گرفته شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی ها نشان می دهند که در SRAM مبتنی بر ترانزیستور TMDFET مقدار WTP به میزان 44/29% بیشتر و به همین نسبت توانایی نوشتن آن بیشتر است. علاوه بر آن مقدار به میزان 49/49% بیشتر است که بیانگر حاشیه نویز نوشتن بالاتر می باشد. مقدار تأخیر خواندن نیز به اندازه 48/29% کمتر است. به عبارت دیگر یک سلول SRAM مبتنی بر TMDFET از نظر توانایی نوشتن, حاشیه نویز استاتیکی خواندن و تأخیر خواندن عملکرد بهتری نسبت به Si-MOS-SRAM از خود نشان می دهد.

چندرسانه ای

  • ثبت نشده است.
  • استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    ایزدی نسب، فرزانه، و قلی پور، مرتضی. (1400). ارزیابی کارایی سلول حافظه SRAM مبتنی بر ترانزیستورهای TMDFET در مقایسه با فناوری Si-MOSFET. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق، 19(3 )، 189-198. SID. https://sid.ir/paper/412781/fa

    Vancouver: کپی

    ایزدی نسب فرزانه، قلی پور مرتضی. ارزیابی کارایی سلول حافظه SRAM مبتنی بر ترانزیستورهای TMDFET در مقایسه با فناوری Si-MOSFET. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق[Internet]. 1400؛19(3 ):189-198. Available from: https://sid.ir/paper/412781/fa

    IEEE: کپی

    فرزانه ایزدی نسب، و مرتضی قلی پور، “ارزیابی کارایی سلول حافظه SRAM مبتنی بر ترانزیستورهای TMDFET در مقایسه با فناوری Si-MOSFET،” مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق، vol. 19، no. 3 ، pp. 189–198، 1400، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/412781/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button