مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

178
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

90
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بهبود عملکرد دیود اثر میدانی به منظور کاربرد در تکنولوژی نانو

صفحات

 صفحه شروع 1 | صفحه پایان 8

کلیدواژه

دیوداثرمیدانی(FED) Q1
دیوداثرمیدانی با اتصال جانبی(S-FED) Q1
نسبت جریان روشن به خاموش(Ion Q1
Ioff) Q1

چکیده

 یکی از مشکلات اصلی دیودهای اثر میدانی(FED), افزایش جریان خاموشی ان با کاهش طول کانال می باشد. از این رو در این مقاله ساختار جدیدی ارایه شده است که با کاهش سطح اشتراک کانال با نواحی سورس و درین و بدون نیاز به مخازن ها میزان تزریق حامل های اضافی به کانال کاهش یافته و کنترل گیت بر کانال افزایش می یابد. با تکنیک به کار رفته و بدون نیاز به مخازن ها حجم نواحی سورس و درین نسبت به ساختار دیوداثرمیدانی با اتصال جانبی(S-FED) افزایش یافته و موجب بهبود جریان روشن می شود از این رو با مقایسه ساختار ارایه شده و S-FED نشان داده می شود که پارامترهای مهمی همچون جریان روشن, نسبت جریان روشن به خاموش, تاخیر گیت و حاصلضرب انرژی درتاخیرگیت بهبود بخشیده شده است و لذا ساختار ارایه شده می تواند جایگزین مناسبی برای ساختار های متداول باشد.

چندرسانه ای

  • ثبت نشده است.
  • استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    رضایی، آرش، اروجی، علی اصغر، و شربتی، سمانه. (1400). بهبود عملکرد دیود اثر میدانی به منظور کاربرد در تکنولوژی نانو. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)، 18(1 )، 1-8. SID. https://sid.ir/paper/957995/fa

    Vancouver: کپی

    رضایی آرش، اروجی علی اصغر، شربتی سمانه. بهبود عملکرد دیود اثر میدانی به منظور کاربرد در تکنولوژی نانو. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)[Internet]. 1400؛18(1 ):1-8. Available from: https://sid.ir/paper/957995/fa

    IEEE: کپی

    آرش رضایی، علی اصغر اروجی، و سمانه شربتی، “بهبود عملکرد دیود اثر میدانی به منظور کاربرد در تکنولوژی نانو،” نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)، vol. 18، no. 1 ، pp. 1–8، 1400، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/957995/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button