مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

181
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

55
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

یکسوکنندگی در نانو دیود خودسوئیچ گرافنی با استفاده از آلایش گیت های جانبی

صفحات

 صفحه شروع 9 | صفحه پایان 16

چکیده

 خواص الکترونیکی و رفتار یکسوسازی دیود های خود سوییچ گرافنی با آلایش گیت های جانبی با اتم های نیتروژن و بور, با استفاده از روش تنگ بست تابعی چگالی, مورد بررسی قرار گرفت. آلایش گیت های ادوات, سبب تغییر هدایت الکتریکی نانو نوار گرافنی گیت ها و کانال نیمه هادی می گردد. در نتیجه, اندازه ولتاژ آستانه بایاس مستقیم به میزان قابل ملاحظه ای کاهش یافته, به صورتی که در ساختارهای 565 آلایش یافته با اتم های بور و نیتروژن, این ولتاژ نزدیک به صفر است. همچنین, جریان الکتریکی عبوری در بایاس مستقیم و معکوس ادوات آلایش یافته, نسبت به ساختار غیر آلاییده, به ترتیب افزایش و کاهش یافته است. در بین همه ساختارها, ساختار 565 آلایش یافته با اتم های بور, دارای بیشترین نسبت یکسوسازی به میزان 55/558 است و ماکزیمم جریان عبوری در بایاس مستقیم در محدوده بایاس اعمالی نیز مربوط به این ساختار, به مقدار μ A56/8 است.

چندرسانه ای

  • ثبت نشده است.
  • استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    قاضی اسدی، حسن، و نایبی، پیمان. (1400). یکسوکنندگی در نانو دیود خودسوئیچ گرافنی با استفاده از آلایش گیت های جانبی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)، 18(1 )، 9-16. SID. https://sid.ir/paper/958674/fa

    Vancouver: کپی

    قاضی اسدی حسن، نایبی پیمان. یکسوکنندگی در نانو دیود خودسوئیچ گرافنی با استفاده از آلایش گیت های جانبی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)[Internet]. 1400؛18(1 ):9-16. Available from: https://sid.ir/paper/958674/fa

    IEEE: کپی

    حسن قاضی اسدی، و پیمان نایبی، “یکسوکنندگی در نانو دیود خودسوئیچ گرافنی با استفاده از آلایش گیت های جانبی،” نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)، vol. 18، no. 1 ، pp. 9–16، 1400، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/958674/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button