مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

173
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

77
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

طراحی حافظه مغناطیسی توان پایین در حضور تغییرات فرایند ساخت

صفحات

 صفحه شروع 51 | صفحه پایان 58

چکیده

 چکیده-با پیشرفت تکنولوژی و کوچک شدن اندازه ی ترانزیستورها به ویژه در تکنولوژی های کمتر از 90 نانومتر, یکی از بزرگترین مشکلات مدارهای CMOS متعارف مصرف توان ایستای بالا به خاطر افزایش نمایی جریان نشتی ترانزیستور ها است. افزاره های spintronic از جمله پیوند تونل مغناطیسی ((magnetic tunnel junction MTJ به علت مصرف توان ایستای پایین, غیرفرار بودن, سازگاری با ترانزیستورهای CMOS و امکان ساخت در چگالی های بالا یکی از گزینه های جایگزین برای طراحی مدار های ترکیبی MTJ/CMOS هستند. در سال های اخیر چندین حافظه مغناطیسی با استفاده از MTJ طراحی و ارایه شده است. این حافظه ها از مشکلاتی مانند مصرف توان بالا و سرعت پایین رنج می برند. در این مقاله روش نوشتن جدیدی برای کاهش توان پویای مصرفی مدار و اصلاحاتی برای کاهش توان ایستا در مدار مورد استفاده برای نوشتن در MTJ ها ارایه شده است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهد که حافظه پیشنهادی نسبت به حافظه های پیشین تا 97 درصد توان ایستا و تا 71 درصد توان پویای کمتری مصرف می کند.

چندرسانه ای

  • ثبت نشده است.
  • استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    قصابی مبارک آبادی، سهیلا، و حسن زاده، علیرضا. (1400). طراحی حافظه مغناطیسی توان پایین در حضور تغییرات فرایند ساخت. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)، 18(1 )، 51-58. SID. https://sid.ir/paper/961528/fa

    Vancouver: کپی

    قصابی مبارک آبادی سهیلا، حسن زاده علیرضا. طراحی حافظه مغناطیسی توان پایین در حضور تغییرات فرایند ساخت. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)[Internet]. 1400؛18(1 ):51-58. Available from: https://sid.ir/paper/961528/fa

    IEEE: کپی

    سهیلا قصابی مبارک آبادی، و علیرضا حسن زاده، “طراحی حافظه مغناطیسی توان پایین در حضور تغییرات فرایند ساخت،” نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)، vol. 18، no. 1 ، pp. 51–58، 1400، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/961528/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button