مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

video

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

sound

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

نسخه انگلیسی

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید:

188
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

دانلود:

106
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

مقایسه جریان ناشی از تابش اشعه فرابنفش بر دیود نوری PIN سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی

صفحات

 صفحه شروع 45 | صفحه پایان 50

چکیده

 تشعشع پرتو پرانرژی فرابنفش بر دیودهای نوری PIN, پارامترهای مطلوب این نوع فوتودیودها را کاهش می دهد. در این مقاله با ارایه مدل شبیه سازی, به بررسی اثرات تابش اشعه فرابنفش بر مشخصه ی جریان روشنی در دو نوع دیود نوری گالیوم آرسنایدی و سیلیکونی پرداخته و جهت تایید روابط تحلیلی, به کمک نرم افزار سیلواکو-اطلس هر دو مدل دیودی شبیه سازی می شود. ابتدا دو مدل (سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی) تحت تابش منبع فرابنفش با طول موج 300 نانومتر قرار گرفته و سپس, به بررسی پاسخ آن ها در چندین بایاس معکوس پرداخته می شود. درنهایت مشاهده می شود که پس از تابش, جریان تاریکی در هر دو مدل دیود نوری, به طور قابل توجهی افزایش یافته است. همچنین جریان روشنی در دیود نوری گالیوم آرسناید خیلی بیشتر از مدل مشابه سیلیکونی آن است. این پدیده ناشی از حساسیت بالاتر فوتودیودهای گالیوم آرسنایدی به اشعه ی پر انرژی است. تشعشع پرتو پرانرژی فرابنفش بر دیودهای نوری PIN, پارامترهای مطلوب این نوع فوتودیودها را کاهش می دهد. در این مقاله با ارایه مدل شبیه سازی, به بررسی اثرات تابش اشعه فرابنفش بر مشخصه ی جریان روشنی در دو نوع دیود نوری گالیوم آرسنایدی و سیلیکونی پرداخته و جهت تایید روابط تحلیلی, به کمک نرم افزار سیلواکو-اطلس هر دو مدل دیودی شبیه سازی می شود. ابتدا دو مدل (سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی) تحت تابش منبع فرابنفش با طول موج 300 نانومتر قرار گرفته و سپس, به بررسی پاسخ آن ها در چندین بایاس معکوس پرداخته می شود. درنهایت مشاهده می شود که پس از تابش, جریان تاریکی در هر دو مدل دیود نوری, به طور قابل توجهی افزایش یافته است. همچنین جریان روشنی در دیود نوری گالیوم آرسناید خیلی بیشتر از مدل مشابه سیلیکونی آن است. این پدیده ناشی از حساسیت بالاتر فوتودیودهای گالیوم آرسنایدی به اشعه ی پر انرژی است.

چندرسانه ای

  • ثبت نشده است.
  • استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • استناددهی

    APA: کپی

    رزاقی، محمد، و کرم، هانیه. (1400). مقایسه جریان ناشی از تابش اشعه فرابنفش بر دیود نوری PIN سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)، 18(1 )، 45-50. SID. https://sid.ir/paper/965706/fa

    Vancouver: کپی

    رزاقی محمد، کرم هانیه. مقایسه جریان ناشی از تابش اشعه فرابنفش بر دیود نوری PIN سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)[Internet]. 1400؛18(1 ):45-50. Available from: https://sid.ir/paper/965706/fa

    IEEE: کپی

    محمد رزاقی، و هانیه کرم، “مقایسه جریان ناشی از تابش اشعه فرابنفش بر دیود نوری PIN سیلیکونی و گالیوم آرسنایدی،” نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران)، vol. 18، no. 1 ، pp. 45–50، 1400، [Online]. Available: https://sid.ir/paper/965706/fa

    مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی






    بازگشت به بالا
    telegram sharing button
    whatsapp sharing button
    linkedin sharing button
    twitter sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    email sharing button
    sharethis sharing button