در این کار، خواص الکترونی از جمله چگالی حالتها و چگالی الکترونی برای GaN، InN و InxGa1-xN در فاز ورتزیت برای x=0.5 محاسبه شده است. این مطالعه بر پایه تئوری تابع چگالی با روش پتانسیل کامل خطی افزوده موج جهت محاسبه خواص الکترونیکی بهره برده است.نتایج نشان داد که شکاف انرژی inxGa1-xN با کاهش میزان GaN افزایش می یابد.

در این مطالعه، با محاسبه ی ویژگی ساختاری، الکترونی، نوری و فتوکاتالیستی تک لایه های مکسین، یک خانواده از مواد دو بعدی با کاربردهای گسترده ی آن ها به دلیل ویژگی برجسته شان، از جمله Hf2CO2 و Zr2CO2، این تک لایه ها را با استفاده از تابعی های GGA-PBE و HSE06 مورد مقایسه قرار می دهیم. این محاسبات با استفاده از نظریه ی تابعی چگالی (DFT) انجام شده است. سلول واحد این ساختارها و موقعیت اتمی آن ها کامل بهینه شده است. نتایج نشان می دهد که ثابت های شبکه برای نانوساختارهای دو بعدی Hf2CO2 و Zr2CO2 به ترتیب 3/3592 و 3/3771 آنگستروم است. گاف نواری این نانوساختارها از نوع غیرمستقیم است. بر اساس اطلاعات بدست آمده مقدار گاف نواری آن ها با تابعی GGA-PBE به ترتیب 0/92 و0/89 الکترون ولت است. همچنین با تابعی هیبریدی HSE06، گاف نواری بدست آمده به ترتیب 1/75 و 1/72 الکترون ولت است. مشاهده می شود که با تابعی هیبریدی HSE06، میزان گاف نواری بهبود می یابد. بخش های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک به منظور بررسی ویژگی نوری این ساختارها محاسبه شده است. محاسبات نشان می دهند که مواد مورد مطالعه در مناطق مرئی و فرابنفش از جذب بالایی برخوردار هستند. نتایج بدست آمده نشان می دهد که این نانوساختارهای دو بعدی می توانند به عنوان فتوکاتالیست مناسب در فرایند شکافت آب مورد استفاده قرار گیرند.

در این مقاله خواص الکترونی نانو ورقه ها ی شبه گرافنی کرباید سیلیسیم، کرباید ژرمانیوم و کرباید قلع مورد بررسی قرارگرفته است. محاسبات این پژوهش بر اساس نظریه ی تابعی چگالیDFT با استفاده از روش امواج تخت تقویت شده ی خطی با پتانسیل کامل(FP-LAPW) و به کارگیری سه تقریب GGA, LDA و TB-mBJ به روش خودسازگار انجام شده است. بررسی چگالی حالت ها نشان می دهد که اوربیتال های pکربن در نوار رسانش و ظرفیت بیش ترین سهم را در هر سه نانو ورقه دارند. محاسبات ساختار نواری در هر سه تقریب نشان می دهد که نوع گاف انرژی در نانو ورقه هایSiC، GeC و SnC به ترتیب مستقیم، مستقیم و غیر مستقیم است. همچنین مقدار گاف در تقریب TB-mBJ برای این نانو به ترتیب برابر 31/3، 93/2 و 38/1 الکترون ولت برآورد شد که نسبت به دو تقریب دیگر به طور قابل ملاحظه ای بیشتر است. بنابراین نانو ورقه-هایGeC, SiC به دلیل دارا بودن گاف انرژی مستقیم و نسبتا بزرگ می توانند در صنعت الکترواپتیک مورد توجه واقع شوند. درصد یونی بودن پیوندها با استفاده از رابطه ی پائولی و محاسبات چگالی الکترونی بررسی شد. نتایج نشان می دهد که نوع پیوند در نانو ورقه های مورد بحث کووالانسی و درصد یونی پیوندها در نانو ورقه های SiC, GeC و َSnC به ترتیب 10، 7 و 8 درصد است.

در مورخه شانزدهم خردادماه سال هزار و سیصد و هشتاد و چهار در محور مواصلاتی نیر - سراب (گردنه صائین) در استان اردبیل زمین لغزه نسبتا بزرگی رخ داد که در اثر آن حدود یک کیلومتر از محور فوق الذکر از بین رفت و خسارات جانی و مالی فروانی را به وجود آورد. عوامل مختلفی در ایجاد این زمین لغزه نقش داشته اند؛ که از جمله می توان به عوامل زمین شناسی (لیتولوژی و ساختار زمین شناسی)، ضخامت و بافت خاک، درصد پوشش گیاهی، کاربری زمینها، میزان پستی و بلندی و شیب دامنه و بالاخره آب های زیر زمینی اشاره نمود. برای پی بردن به میزان ناپایداری در قسمت های مختلف منطقه بر اساس روش آنبالاگان، ابتدا کل منطقه مورد مطالعه به 32 واحد کاری تقسیم گردید و سپس عوامل تاثیر گذار در لغزش به صورت جداگانه در هرکدام از واحدهای کاری مورد ارزیابی قرار گرفت و ارزش عددی هرکدام بدست آمد و در نهایت کل امتیازات جمع گردید. بر اساس امتیاز های بدست آمده نقشه خطر زمین لغزش برای کل منطقه رسم گردید. بررسی این نقشه گویای این حقیقت است که کل منطقه به پنج پهنه از نظر خطر زمین لغزه تقسیم شده اند؛ پهنه باخطر بسیار بالا  10.5کیلومتر مربع از مساحت کل منطقه یا 23 درصد اراضی را به خود اختصاص داده که در اطراف رودخانه و محل عبور جاده قرار گرفته اند. مناطق با خطر زیاد 24.6درصد منطقه مورد مطالعه، پهنه با خطر متوسط 2.1 درصد، پهنه با خطر کم 18 درصد و پهنه با خطر خیلی کم 14.75 از منطقه را به خودشان اختصاص داده اند.

گرادیانهای میدان الکتریکی (EFG’s) در مکان In و ممان مغناطیسی اسپینی در مکان Ce در ترکیب CeIn3 محاسبه شده اند. محاسبات با افزایش تدریجی فشار از 5- تا GPa 22+و با استفاده از نظریه تابعی چگالی و روش امواج تخت بهبود یافته به علاوه اربیتال موضعی و به کارگیری ضریب WC-GGA+Uو' PBE-GGA+U انجام شده اند. نتایج گویای کاهش تقریبا خطی ممان مغناطیسی اسپینی سریم با افزایش فشار است. از نتایج بدست آمده مشاهده می شود که گرادیانهای میدان الکتریکی  محاسبه شده در مکان In ؛به عکس، با افزایش فشار افزایش می یابند. گرادیانهای میدان الکتریکی در فشار صفر را با نتایج نظری دیگران و نتیایج تجربی مقابیسه کرده ایم. مقایسه انجام شده نشان می دهد که گرادیانهای میدان الکتریکی نسبت به نتایج دیگران با تجربه در فشار صفر سازگاری بیشتری دارد. نتایج نشان می دهد که ممان مغناطیسی اسپینی در یک نقطه بحرانی کوانتمی خاص فرو نشانده می شود.

این پژوهش برای بررسی ویژگی های الکترونیکی، مغناطیسی و نوری ترکیبات EuS و Eu₀.5Nd0.5S، از محاسبات نظریه تابعی چگالی (DFT) در چارچوب نرم افزار WIEN2K استفاده می کند. در روش محاسباتی، پتانسیل تبادلی-هم بستگی بک–جانسون اصلاح شده با تران–بلاها (TB-mBJ) ترکیب شده است تا دقت پیش بینی ساختار الکترونیکی افزایش یابد. پارامترهای ساختاری، از جمله ثابت های شبکه تعادل و حجم سلول واحد، با برازش داده های انرژی کل بر حسب حجم به معادله حالت بیرچ- مورناگان (BME) به دست آمدند. ویژگی های ساختاری محاسبه شده تطابق بسیار قوی با داده های تجربی موجود نشان می دهند و قابلیت اطمینان رویکرد محاسباتی اتخاذ شده را تأیید می کند. ویژگی های الکترونیکی از طریق محاسبات ساختار نواری (BS) مورد بررسی قرار گرفت، که با تجزیه و تحلیل عمیق چگالی حالت های کل و جزئی (T-DOS و P-DOS) تکمیل شد. نتایج ساختار نواری ماهیت فلزی هر دو ترکیب EuS و Eu0.5Nd0.5S را تایید می کند، به گونه ای که وجود حالت های رسانش در تراز فرمی مشاهده می شود. ویژگی های نوری به صورت نظام مند و از طریق توابع کلیدی پاسخ وابسته به بسامد تجزیه و تحلیل شده اند که شامل بخش های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک [ε1(ω) و ε2(ω)]، طیف بازتابی [R(ω)]، تابع اتلاف انرژی [L(ω)]، ضریب شکست [n(ω)] و ضریب جذب [α(ω] هستند. این پارامترهای نوری سازوکارهای برهم کنش بین این مواد و تابش الکترومغناطیسی را واضح می کنند و بینش های مهمی را در مورد کاربردهای بالقوه آنها در فناوری های نوری و فوتونیک ارائه می دهند.

در این مقاله خواص اپتیکی و ساختار نوارهای انرژی سرامیک PbTiO3 در فاز تتراگونال، با استفاده از روش پتانسیل کامل و امواج تخت بهبود یافته خطی (FP-LAPW) به عنوان بردارهای پایه چارچوب نظریه تابعی چگالی (DFL)، با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) محاسبه شده است. نتایج نشان می دهد که در انرژی 4.8 eV بیشترین شدت انتقال بین نواری وجود دارد. با توجه به منحنی تابع اتلاف انرژی (EELS)، انرژی پلاسمون حدود 23 eV محاسبه شده است. ضریب شکست استاتیک PbTiO3 خالص در فاز تتراگونال 2.539 محاسبه شده است. همچنین نتایج، یک گاف نواری غیرمستقیم 2.2 eV را در نقطه G در منطقه بریلوئن نشان می دهد که سازگاری خوبی با نتایج تجربی و تئوری به دست آمده از روشهای دیگر دارد.

متن کامل این مقاله به زبان انگلیسی می باشد. لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله به بخش انگلیسی مراجعه فرمایید.لطفا برای مشاهده متن کامل این مقاله اینجا را کلیک کنید.