فیلترها/جستجو در نتایج    

فیلترها

سال

بانک‌ها



گروه تخصصی







متن کامل


اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1398
  • دوره: 

    17
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    128-136
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    1021
  • دانلود: 

    246
چکیده: 

هدف این مقاله ارائه طرحی جدید و کارامد برای مدار XOR بر پایه تکنولوژی منطق نانومغناطیس در راستای تحقق بخشیدن به پیاده سازی مدارهای محاسباتی نانومغناطیسی از جمله جمع کننده، تفریق کننده و ضرب کننده می باشد. منطق نانومغناطیس به دلایلی از جمله سرعت بسیار بالا، توان مصرفی به شدت پایین، قابلیت مجتمع سازی و کارکرد در دمای اتاق، یک جایگزین مناسب برای تکنولوژی ساخت ترانزیستورهای متعارف است. برای پیشبرد هدف این پژوهش، ابتدا به معرفی گیت های اکثریت در فناوری نانومغناطیس پرداخته می شود و سپس دو طرح کارامد با کمترین مساحت، کمترین تعداد المان نانومغناطیس و کمترین تأخیر برای XOR بر اساس یک گیت اقلیت سه ورودی و یک گیت اکثریت پنج ورودی پیشنهاد می شوند. المان های پایه مورد استفاده در این دو طرح از نوع سلول های نانومغناطیس عمودی متشکل از مواد Co/Pt، به دلیل مزیت های نسبی این ماده هستند. در جهت ایجاد عملکرد درست مدار همچنین نیاز به اعمال ساعت است که در این پژوهش ایجاد پارامتر ساعت با یک میدان مغناطیسی خارجی یکنواخت اعمال می شود. برای پیاده سازی این مدارها از ابزار MagCAD و برای بررسی صحت عملکرد این مدارها از شبیه ساز Modelsim استفاده شده است. با توجه به نتایج حاصل از این شبیه سازی می توان گفت که طرح پیشنهادی XOR سه ورودی تک لایه ای و چندلایه ای پیشنهادی در تعداد گیت ها به ترتیب 50% و 25%، در تأخیر به ترتیب 80% و 80% و در تعداد المان های به کار رفته به ترتیب 23% و 21% نسبت به پژوهش مشابه دارای عملکرد بهتری هستند.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 1021

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 246 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

BONGIOVANNI G. | PENNA P.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2003
  • دوره: 

    -
  • شماره: 

    5
  • صفحات: 

    0-0
تعامل: 
  • استنادات: 

    1
  • بازدید: 

    129
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 129

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 1 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1392
  • دوره: 

    1
تعامل: 
  • بازدید: 

    298
  • دانلود: 

    138
کلیدواژه: 
چکیده: 

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 298

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 138
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1386
  • دوره: 

    5
  • شماره: 

    3 (الف)
  • صفحات: 

    41-55
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    777
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

با توجه به اینکه مشخصه های مربوط به مدارات پایه VLSI مثل XOR/XNOR، که از بستر تست منفرد بدست می آید، الزاما معرف رفتار آنها در مدارات با ساختارهای چند طبقه نمی باشد. اینگونه نتایج، در مدارات چند طبقه با ساختارهای متفاوت، قابل استفاده نخواهد بود. در این مقاله الگوریتم جدیدی ارایه گردیده که توسط آن می توان رفتار زمانی مدارات مختلف را بگونه ای تعیین و با یکدیگر مقایسه نمود، که نتایج در ساختارهای مداری بزرگ تر نیز صادق باشند. بهمراه الگوریتم جدیدی در خصوص طراحی مدارات XOR-XNOR بالانس، دو مدار جدید نیز ارایه گردیده است. با استفاده از ابزار شبیه سازی، ابتدا عملیات تعیین سایز ترانزیستورها برای مدارات صورت پذیرفته تا از لحاظ شاخص PDP بهینه گردند، سپس رفتار زمانی آنها با یکدیگر مقایسه گردیده است. مدار بهینه از لحاظ رفتار زمانی یکی از طرح های ارایه شده جدید شناخته شد. شبیه سازی ها با تکنولوژی 0.18 میکرومتر، بر اساس مدل BSIM3v، انجام شده است.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 777

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

SURESH K. | BAHNIMAN G.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2014
  • دوره: 

    467
  • شماره: 

    -
  • صفحات: 

    531-535
تعامل: 
  • استنادات: 

    1
  • بازدید: 

    136
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 136

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 1 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1391
  • دوره: 

    3
  • شماره: 

    2 (پیاپی 8)
  • صفحات: 

    95-101
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    2104
  • دانلود: 

    343
چکیده: 

با توجه به نقش اصلی گیت های XNOR-XOR و با توجه به این که مدارهای بلوک های ساختاری، پایه مدارهای محاسباتی بسیاری، از جمله ضرب کننده ها، تمام جمع کننده ها، مقایسه گرها و دیگر مدارها هستند، روش های جدید برای این مدارها به منظور بهبود دادن سرعت و توان پیشنهاد شده است. با کاهش مقیاس به فناوری زیرمیکرون (Deep Submicron) امنیت نویز یک پارامتر هم اهمیت با توان، سرعت و فضا شده است. در این مقاله عملکرد مدارات XOR-XNOR گوناگونی مقایسه شده و یک گیت XOR-XNOR توان پایین و مقاوم در برابر نویز با 10 ترانزیستور طراحی و ارائه شده است. در پدافند غیرعامل مقاومت در برابر اختلال های الکترومغناطیسی که به صورت نویز در مدارهای الکترونیکی ظاهر می شود، بسیار حائز اهمیت است. بنابراین افزایش مقاومت در برابر نویز به محافظت مدارها در مقابله با اختلال های الکترومغناطیسی کمک خواهد کرد. نتیجه های شبیه سازی در فناوری0.18 (mm)  در نرم افزار HSPICE و در تمام رنج ولتاژهای تغذیه از 0.6 (V) تا 3.3 (V) نشان می دهد که مدار پیشنهادی توان مصرفی پایین تر، PDP بهتر و مصونیت نویز مناسبی نسبت به آخرین مدارهای XOR-XNOR گزارش شده را داراست.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 2104

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 343 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2023
  • دوره: 

    12
  • شماره: 

    3
  • صفحات: 

    229-235
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    35
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

Today more than ever, we need high-speed circuits with low occupancy and low power as an alternative to CMOS circuits. Therefore, we proposed a new path to build nanoscale circuits such as Quantum-dot Cellular Automata (QCA). This technology is always prone to failure due to its very small size. Therefore, designers always try to design fault-tolerant gates and provide methods to increase the reliability of QCA. By adding redundant cells, the possibility of some defects such as cell omission and cell addition is somewhat reduced. However, in the face of defects such as stuck-at 0/1 faults, Clock fault and bridging fault. We can greatly increase the fault tolerance by appropriate placement and using fault tolerant gates with a suitable structure. In this paper, we design the XOR/XNOR gate with the approach of preventing stuck-at 0/1 fault, clock fault, and bridging fault using the first NNI gate tolerating cell addition fault.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 35

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1394
  • دوره: 

    2
تعامل: 
  • بازدید: 

    356
  • دانلود: 

    537
چکیده: 

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 356

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 537
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1401
  • دوره: 

    20
  • شماره: 

    70
  • صفحات: 

    147-159
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    33
  • دانلود: 

    8
چکیده: 

دروازه های منطقی تمام نوری اصلی ترین واحد در سیستم های پردازشی تمام نوری هستند. ارائه یک روش سریع و کارآمد برای مطالعه رفتار دروازه های منطقی تمام نوری با اهمیت بوده و همواره مورد توجه محققان قرار داشته است. در این مقاله از شبکه های عصبی رگرسیون کلی (GRNN) و پیش بینی خطی (Lin) برای مدلسازی خروجی دروازه منطقی تمام نوری XOR سه ورودی استفاده شده است. نتایج بدست آمده نشان می دهند هر دو روش به خوبی می توانند رفتار قطعه را مدل سازی کنند اما مدت زمان آموزش شبکه عصبی در روش پیش بینی خطی با ساختار بهینه حدود 93 ثانیه است که بسیار بیشتر از روش GRNN با مدت زمان آموزش 8 ثانیه می باشد. هر دو شبکه پس از آموزش می توانند خروجی دروازه مورد نظر را در مدت زمانی کمتر از 1 ثانیه پیش بینی نمایند. این زمان در مقایسه با زمان مورد نیاز برای محاسبه خروجی دروازه منطقی XOR که برابر با 12 ثانیه می باشد کاهش چشمگیری را در مدل سازی این افزاره نشان می دهد. در روش GRNN به ازای مقدار گستردگی 001/. بهترین پاسخ با مقادیر خطاهای MAE, RSE, MSE به ترتیب 7-10×97/1، 6-10×95/5 و 4-10×6/1 به دست آمده است. در روش پیش بینی خطی با مقدار آموزش اولیه 200 داده کمترین مقادیر خطاهای MAE, RSE, MSE به ترتیب 22-10×11/1 ، 16-10×14/2 و 11-10×11/2 و بهترین خروجی برای مدل سازی حاصل شده است. مقدار ضریب همبستگی(R2) بین مقادیر مدل سازی شده و مقادیر مطلوب خروجی دروازه منطقی مذکور برای هر دو روش شبکه عصبی برابر با یک می باشد که نشان دهنده پیش بینی بسیار خوب در این روش است.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 33

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 8 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2023
  • دوره: 

    11
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    195-211
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    24
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

In this paper, a novel scheme for lossless meaningful visual secret sharing using XOR properties is presented. In the first step, genetic algorithm with an appropriate proposed objective function created noisy share images. These images do not contain any information about the input secret image and the secret image is fully recovered by stacking them together. Because of attacks on image transmission, a new approach for construction of meaningful shares by the properties of XOR is proposed. In recovery scheme, the input secret image is fully recovered by an efficient XOR operation. The proposed method is evaluated using PSNR, MSE and BCR criteria. The experimental results presents good outcome compared with other methods in both quality of share images and recovered image.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 24

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
litScript
telegram sharing button
whatsapp sharing button
linkedin sharing button
twitter sharing button
email sharing button
email sharing button
email sharing button
sharethis sharing button